[實(shí)用新型]一種卷繞鍍膜設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420083650.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-02-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203700511U | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李晨光 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南昌歐菲光科技有限公司;深圳歐菲光科技股份有限公司;蘇州歐菲光科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/56 | 分類號(hào): | C23C14/56 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;呂俊清 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 卷繞 鍍膜 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種卷繞鍍膜設(shè)備,尤其涉及可對(duì)基材進(jìn)行標(biāo)記的鍍膜設(shè)備。
背景技術(shù)
卷繞鍍膜機(jī)主要用于在柔性基體表面鍍制膜層,使得膜層具有功能性和/或裝飾性。
功能性是指在柔性基材表面鍍制半導(dǎo)體膜、金屬膜、絕緣膜、光學(xué)多層膜等薄膜,不僅可以提高其表面硬度,力學(xué)強(qiáng)度和耐水性能,還能增加耐油性和耐溶劑性,提高老化性,使其具有導(dǎo)電性,反射性,吸收性,絕緣性,阻隔性及防止靜電性,例如:用于制造觸摸屏,電容器等。
圖1為目前一種卷繞鍍膜機(jī)示意圖,其包括放卷機(jī)構(gòu)1、收卷機(jī)構(gòu)2、真空鍍膜室3、鍍膜鼓4及多個(gè)腔室隔板5,鍍膜鼓4位于真空鍍膜室3內(nèi),用于卷繞基材S,基材S由放卷機(jī)構(gòu)1進(jìn)入真空鍍膜室3進(jìn)行鍍膜后送至收卷機(jī)構(gòu)2。其中,多個(gè)腔室隔板5位于真空鍍膜室3,自真空鍍膜室3的內(nèi)壁向鍍膜鼓4延伸,將真空鍍膜室3分割成多個(gè)鍍膜腔室。不同鍍膜腔室內(nèi)放置不同靶材。例如,在ITO?film鍍膜過程中,不同腔室內(nèi)放置如:硅靶材,氧化鈮靶材,ITO靶材,TiO2靶材等。鍍膜過程中,由于不同膜層的參數(shù)改變,如改變氣體氛圍(氬氣,氧氣,氮?dú)獾龋?,靶材功率等,需?duì)膜層做標(biāo)記,以區(qū)分前后不同參數(shù)所鍍制的膜層?,F(xiàn)有的方式為硅靶失氧法。采用該種方式做標(biāo)記時(shí),將硅靶所在的鍍膜腔室內(nèi)的氧氣流量手動(dòng)調(diào)整為零,功率加大,在基材S表面沉積暗黑色的膜層,以區(qū)分前后不同參數(shù)所鍍制的膜層;待參數(shù)改變完后,硅靶氧氣恢復(fù)至正常,此時(shí)硅靶不能瞬時(shí)調(diào)整為正常功率,恢復(fù)時(shí)間一般為30s-60s之間。然而在這段時(shí)間內(nèi)基材仍在被卷動(dòng),造成較長(zhǎng)一段基材上形成非正常的膜層而不可用。因此,采用上述方式做標(biāo)記基材浪費(fèi)嚴(yán)重,鍍膜速度越快,浪費(fèi)材料越嚴(yán)重,同時(shí)也降低了產(chǎn)品的良率和鍍膜效率。
實(shí)用新型內(nèi)容
基于上述問題,本實(shí)用新型提供了一種卷繞鍍膜設(shè)備,以避免基材浪費(fèi),提高鍍膜質(zhì)量和鍍膜效率。
為達(dá)成上述目的,本實(shí)用新型提供一種卷繞鍍膜設(shè)備,包括:真空鍍膜室;鍍膜鼓,其位于真空鍍膜室內(nèi),用于卷繞基材;及多個(gè)腔室隔板,其與真空鍍膜室的內(nèi)壁連接,并自真空鍍膜室的內(nèi)壁向鍍膜鼓延伸,將真空鍍膜室分割成多個(gè)鍍膜腔室,其特征在于,鍍膜設(shè)備還包括標(biāo)記機(jī)構(gòu),標(biāo)記機(jī)構(gòu)包括:多個(gè)安裝部,與各腔室隔板的鄰近鍍膜鼓的一端連接,且與鍍膜鼓的外壁之間存在間隙;及打標(biāo)部,設(shè)置在各個(gè)安裝部,用于在所對(duì)應(yīng)的鍍膜鼓上的基材形成標(biāo)記。
根據(jù)上述實(shí)施方式,標(biāo)記機(jī)構(gòu)還包括連接部,其將安裝部連接于腔室隔板。
根據(jù)上述實(shí)施方式,安裝部通過連接部高度可調(diào)節(jié)的連接于腔室隔板,使得安裝部與鍍膜鼓的外壁之間的間隙距離能夠調(diào)節(jié)。
根據(jù)上述實(shí)施方式,連接部包括一對(duì)連接板,每一連接板包括一第一連接件和自第一連接件的側(cè)緣垂直延伸的第二連接件,該對(duì)連接板的第二連接件平行對(duì)置,且第二連接件之間形成一安裝狹槽,安裝狹槽的寬度等于腔室隔板的厚度,腔室隔板插入該安裝狹槽并固定于第二連接件,且腔室隔板插入該安裝狹槽的深度能夠調(diào)節(jié),使得安裝部與鍍膜鼓的外壁之間的間隙距離能夠調(diào)節(jié)。
根據(jù)上述實(shí)施方式,安裝部的鄰近鍍膜鼓的表面具有弧度。
根據(jù)上述實(shí)施方式,安裝部的該表面的曲率與鍍膜鼓的曲率相同。
根據(jù)上述實(shí)施方式,安裝部與鍍膜鼓的外壁之間的間隙為1-2mm。
根據(jù)上述實(shí)施方式,安裝部上設(shè)有安裝孔,打標(biāo)部嵌設(shè)于安裝孔內(nèi)。
根據(jù)上述實(shí)施方式,安裝部上設(shè)有至少兩個(gè)安裝孔,所述安裝孔的連線與鍍膜鼓的軸線平行,鄰近安裝部?jī)啥说陌惭b孔之間的距離小于基材的寬幅。
根據(jù)上述實(shí)施方式,安裝孔在安裝部上的位置與腔室隔板對(duì)齊。
根據(jù)上述實(shí)施方式,打標(biāo)部為激光器,打標(biāo)部發(fā)出的激光束垂直于所對(duì)應(yīng)的鍍膜鼓的切面。
根據(jù)上述實(shí)施方式,激光器為半導(dǎo)體激光器,選用功率小于5w脈沖式激光器。
本實(shí)用新型相較于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果在于:本實(shí)用新型通過在腔室隔板上設(shè)置標(biāo)記機(jī)構(gòu),在基材上進(jìn)行打標(biāo),以區(qū)分鍍膜工藝中不同參數(shù)所鍍制的膜層。與傳統(tǒng)的硅靶失氧法相比,本實(shí)用新型無需調(diào)節(jié)腔室內(nèi)靶材參數(shù),可快速對(duì)基材做標(biāo)記,從而提高鍍膜效率、產(chǎn)品的良率。并且,由于打標(biāo)部安裝在腔室隔板上,相比于傳統(tǒng)的硅靶失氧法在腔室內(nèi)對(duì)基材做標(biāo)記,本實(shí)用新型可大幅減少基材的浪費(fèi)。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有的卷繞鍍膜機(jī)的示意圖。
圖2為本實(shí)用新型的卷繞鍍膜設(shè)備的示意圖。
圖3為圖2中III部分的局部放大圖。
圖4為卷繞鍍膜設(shè)備的標(biāo)記機(jī)構(gòu)的示意圖。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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