[實用新型]一種8DIP半導體PMF與CAP的封裝結構

有效

• 申請號: 201420083268.1
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN203721704U
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 王駿
• 申請（專利權）人: 江蘇鉅芯集成電路技術有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31
• 代理公司: 北京中恒高博知識產權代理有限公司 11249
• 代理人: 高玉濱

1.一種8DIP半導體PMF與CAP的封裝結構，其特征在于，所述PMF的連接側面設有凹陷區，CAP連接側的外壁連接PMF凹陷區內壁；所述PMF凹陷區底部設有凸起部I，該凸起部I與PMF凹陷區內壁之間形成凹槽；CAP連接側的端面上設有凸起部II，所述凸起部II伸入所述凹槽；所述凸起部II與所述凹槽緊密銜接。

2.根據權利要求1所述的一種8DIP半導體PMF與CAP的封裝結構，其特征在于，所述凸起部II的橫截面為等邊梯形。

3.根據權利要求2所述的一種8DIP半導體PMF與CAP的封裝結構，其特征在于，所述凸起部II設置在端面的四周邊緣處。

4.根據權利要求3所述的一種8DIP半導體PMF與CAP的封裝結構，其特征在于，所述凸起部II的長度大于所處端面邊長的一半，小于所處端面邊長。

5.根據權利要求3或4所述的一種8DIP半導體PMF與CAP的封裝結構，其特征在于，所述凸起部II的數量為四個，相對方向的長度相等。

6.根據權利要求1所述的一種8DIP半導體PMF與CAP的封裝結構，其特征在于，所述CAP連接側的中心處設有圓柱突起，該圓柱突起與PMF凹陷區中心的柱形凹槽連接。