[實用新型]一種用于提高磁控濺射膜均勻性的工藝氣管

有效

• 申請號: 201420083032.8
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN203846097U
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 周航鋒;賀偉;侍進山;徐博文;李景;李信;陳武;萬祿兵
• 申請（專利權）人: 湖南中好科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 湖南省婁底市興婁專利事務所 43106
• 代理人: 朱成實

技術領域

本實用新型涉及手機膜生產領域，尤其是指一種用于提高磁控濺射膜均勻性的工藝氣管。?

背景技術

????磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E電場×B磁場所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar?來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。為了在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率的方法。?

發明內容

本實用新型的目的在于提供一種用于提高磁控濺射膜均勻性的結構簡單、濺射效果好的工藝氣管。?

為實現上述目的，本實用新型所提供的技術方案為：一種用于提高磁控濺射膜均勻性的工藝氣管，所述的工藝氣管由若干組氣嘴組件構成，氣嘴組件通過氣嘴管連接在四通接頭上，四通接頭通過氣管連接在氣源上。?

所述的氣嘴組件包括有氣嘴、旋轉管、旋轉座、氣嘴接頭，其中，氣嘴接頭通過氣嘴管連接在四通接頭上，旋轉座固裝在氣嘴接頭，旋轉管底部套裝在旋轉座內，旋轉管頂部與氣嘴連接。?

本實用新型的優點在于：結構簡單、操作方便，可全方位調整氣嘴角度，且濺射效果好、使用壽命長。?

附圖說明

圖1為本實用新型的整體結構示意圖。?

圖2為本實用新型的氣管示意圖。?

具體實施方式

下面結合所有附圖對本實用新型作進一步說明，本實用新型的較佳實施例為：參見附圖1和附圖2，本實施例所述的用于提高磁控濺射膜均勻性的工藝氣管，所述的工藝氣管由若干組氣嘴組件3構成，氣嘴組件3通過氣嘴管5連接在四通接頭4上，四通接頭4通過氣管2連接在氣源1上。氣嘴組件3包括有氣嘴6、旋轉管7、旋轉座8、氣嘴接頭9，其中，氣嘴接頭9通過氣嘴管5連接在四通接頭4上，旋轉座8固裝在氣嘴接頭9，旋轉管7底部套裝在旋轉座8內，旋轉管7頂部與氣嘴6連接。本實施例的結構簡單、操作方便，可全方位調整氣嘴角度，且濺射效果好、使用壽命長。?

以上所述之實施例只為本實用新型之較佳實施例，并非以此限制本實用新型的實施范圍，故凡依本實用新型之形狀、原理所作的變化，均應涵蓋在本實用新型的保護范圍內。?