[實用新型]用于加工半導體晶片的基座

有效

• 申請號: 201420082794.6
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN203707097U
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: H·B·齊亞德;小J·M·帕西
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 郭思宇

1.一種用于加工半導體晶片的基座，其特征在于包括：

所述基座的第一表面；

所述基座的第二表面，所述第二表面與所述第一表面相對；

所述基座的外半徑；

所述基座的外側邊緣；

晶片凹槽，被形成為所述第一表面中的并向所述第二表面延伸的凹部，所述晶片凹槽具有小于所述外半徑的凹槽半徑并具有外邊緣；以及

流量控制結構，被定位于所述第一表面中所述基座的所述外側邊緣與所述晶片凹槽的所述外邊緣之間的一部分上。

2.根據權利要求1所述的基座，其特征在于所述流量控制結構包括多個凹部，所述多個凹部被形成在所述基座的所述第一表面中并延伸至所述基座中。

3.根據權利要求2所述的基座，其特征在于所述多個凹部包括與第二凹部隔開第一距離的第一凹部，其中所述第一表面的一部分位于所述第一凹部和所述第二凹部之間。

4.根據權利要求3所述的基座，其特征在于所述第一距離約為0.1毫米至1.0毫米。

5.根據權利要求2所述的基座，其特征在于所述多個凹部中的一個凹部具有至所述基座內約一至五毫米的深度。

6.根據權利要求1所述的基座，其特征在于所述流量控制結構包括從所述第一表面延伸到所述基座內的凹部或以第一角度從所述第一表面向外延伸的突起中的一個。

7.根據權利要求1所述的基座，其特征在于所述流量控制結構包括多個突起，所述多個突起包括第一突起和第二突起，其中所述第一表面的一部分位于所述第一突起和所述第二突起之間。

8.根據權利要求7所述的基座，其特征在于所述第一突起與所述第二突起相比具有離所述第一表面更高的高度。

9.根據權利要求7所述的基座，其特征在于所述流量控制結構包括多個突起，其中所述第一表面的一部分位于所述第一突起和所述第二突起之間，且其中所述多個突起離所述第一表面的高度隨著從所述晶片凹槽的所述外邊緣的距離增加或從所述晶片凹槽的所述外邊緣的距離減少中的一個而增加。

10.根據權利要求1所述的基座，其特征在于所述流量控制結構包括所述第一表面的至少一部分上的非均勻表面。