[實(shí)用新型]覆晶式LED芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420082717.0
• 申請(qǐng)日: 2014-02-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203859141U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龐曉東;王瑞慶;劉鎮(zhèn);陳浩明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市兆明芯科技控股有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/38
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/38;H01L33/10
• 代理公司: 深圳市博銳專(zhuān)利事務(wù)所 44275
• 代理人: 張明

1.一種覆晶式LED芯片，包括襯底，由襯底的正面向上依次層疊地設(shè)有第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、導(dǎo)電層和反射層；?

還包括至少一個(gè)第一電極孔和至少一個(gè)第二電極孔，所述第一電極孔由所述反射層貫穿至發(fā)光層并暴露出第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，所述第二電極孔貫穿反射層并暴露出導(dǎo)電層，第一電極孔的孔壁上涂覆有絕緣層；?

第一電極孔內(nèi)設(shè)有第一電極，所述第一電極的一端位于反射層的正面、另一端與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電性接觸；第二電極孔內(nèi)設(shè)有第二電極，所述第二電極的一端位于反射層的正面、另一端與導(dǎo)電層電性接觸；?

其特征在于，所述第一電極孔均勻分布在LED芯片上，所述第二電極孔均勻分布在第一電極孔周?chē)?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第一電極孔和第二電極孔設(shè)有至少兩個(gè)，所述第一電極之間相互連接形成第一電極區(qū)，所述第二電極之間相互連接形成第二電極區(qū)。?

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第一電極可分為多組，每一組至少包含一根第一電極；當(dāng)同組中的電極數(shù)量多于一根，位于同組內(nèi)的第一電極相互連接，不同組的第一電極之間至少通過(guò)本組中的一根第一電極與另一組內(nèi)的第一電極連接。?

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第一電極區(qū)和第二電極區(qū)上覆蓋由絕緣材料制成的隔離層，所述隔離層上設(shè)有至少兩個(gè)通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)有導(dǎo)電金屬電極，所述導(dǎo)電金屬電極分別單獨(dú)與第一電極區(qū)和第二電極區(qū)連接。?

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述絕緣層和反射層由相同的高反射率絕緣材料制成，所述高反射率絕緣材料包括分布式布拉格反射鏡DBR或SiO₂、SiNx、AlN。?

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述第一電極和第二電極的材質(zhì)為金、銀、鉑、鈦、鉻、鎳、銅和鋁中的一種。?

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述隔離層的材質(zhì)為二氧化硅或分布式布拉格反射鏡DBR。?

8.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所?述導(dǎo)電層的材質(zhì)為透明的導(dǎo)電材料。?

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)為摻錫氧化銦ITO。?