[實用新型]一種可調恒流源集成芯片

有效

• 申請號: 201420081395.8
• 申請日: 2014-02-26
• 公開（公告）號: CN203733798U
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 陳曉倫;葉新民;李建立;馮東明;王新潮
• 申請（專利權）人: 江陰新順微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;G05F1/56
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所(普通合伙) 32210
• 代理人: 唐紉蘭;曾丹

1.一種可調恒流源集成芯片，其特征在于它包括作為N^-?摻雜區（1）的單晶硅N^-型拋光片，在所述N^-?摻雜區（1）的背面設置有N⁺重摻雜區（2），在所述N^-?摻雜區（1）的正面設置有三極管Q2的第一P^-摻雜區（3）與恒流二極管CRD的?第二P^-摻雜區（4），在所述第一P^-摻雜區（3）上摻雜形成第一N摻雜區（5），在所述第二P^-摻雜區（4）上摻雜形成述第二N摻雜區（6），在所述第一N摻雜區（5）上形成第一P摻雜區（7），在第一P^-摻雜區（3）上形成第二P摻雜區（8），在所述第二P^-摻雜區（4）上形成第三P摻雜區（9）和第四P摻雜區（10），在硅襯底的N^-摻雜區（1）上分別形成三極管（Q1）的第五P摻雜區（11）與電阻R的第六P摻雜區（12），在所述第一P摻雜區（7）上形成第一N⁺摻雜區（13）；在硅襯底的N^-摻雜區（1）上形成第二N⁺摻雜區（14）；在第五P摻雜區（11）上形成第三N⁺摻雜區（15）；在電阻R的第六P摻雜區（12）上形成第四N⁺摻雜區（16），所述電阻R的第四N⁺摻雜區（16）的一端與第一N⁺摻雜區（13）相連，同時作為恒流源集成芯片的陰極；所述第四N⁺摻雜區（16）的另一端分別與第三N⁺摻雜區（15）、第一P摻雜區（7）相連；所述第五P摻雜區（11）分別與第四P摻雜區（1210）、第二P摻雜區（8）、第一N摻雜區（5）相連；所述第二N摻雜區（6）分別與第三P摻雜區（9）、第二N⁺摻雜區（14）相連；所述N^+?重摻雜區（2）作為恒流源集成芯片的陽極。

2.??根據權利要求1所述的一種可調恒流源集成芯片，其特征在于對摻雜區摻雜類型N、P型進行互換，即N型變為P型，P型變為N型，所述硅襯底的正面為陽極，背面為陰極。

3.??根據權利要求1或2所述的一種可調恒流源集成芯片，其特征在于在所述電阻R正面的SiO₂薄膜氧化層上設置有一多晶硅條（17），使得多晶硅條形成電阻R。