[實用新型]一種基于電荷注入方式的指紋信息檢測電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420074718.0
• 申請日: 2014-02-20
• 公開（公告）號: CN203812253U
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程泰毅;趙祥桂
• 申請（專利權(quán)）人: 上海思立微電子科技有限公司
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種基于電荷注入方式的指紋信息檢測電路，包含放大單元與源跟隨單元；所述放大單元與所述源跟隨單元相連；所述放大單元將接收的信號進行放大后輸出至所述源跟隨單元；所述源跟隨單元將接收到的信號進行電平平移后輸出第一電壓信號，其中，所述第一電壓信號攜帶檢測的指紋信息；其特征在于，還包含復位單元、反饋單元；

其中，所述反饋單元在檢測到指紋信息時將產(chǎn)生的第二電壓信號輸出至所述源跟隨單元；

所述復位單元與所述反饋單元、所述放大單元均相連；所述反饋單元與所述放大單元相連；所述復位單元的輸入端用于輸入復位信號；

所述復位信號為高電平時，所述復位單元內(nèi)置的復位管導通并存儲電荷，同時對所述反饋單元進行復位；所述復位信號由高電平切換為低電平時，所述復位管截止，并將存儲的電荷注入至所述反饋單元與所述放大單元；

所述反饋單元接收所述電荷，并在檢測到指紋信息時將所述第二電壓信號輸出至所述源跟隨單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電荷注入方式的指紋信息檢測電路，其特征在于，所述復位單元包含第一反相器、第二反相器、第三反相器與第一N溝道金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管；

所述第一反相器的輸入端為所述復位單元的輸入端，輸出端與所述第二反相器的輸入端相連；

所述第二反相器的輸出端與所述第三反相器的輸入端相連；

所述第三反相器的輸出端與所述第一N溝道金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管的柵極相連；

所述第一N溝道金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管的源極與漏極相連，其中，所述漏極為所述復位單元的第一輸出端口；

所述復位管的第一端口與所述復位單元的第一輸出端口相連，第二端口為所述復位單元的第二輸出端口，第三端口與所述第二反相器的輸出端相連。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于電荷注入方式的指紋信息檢測電路，其特征在于，所述復位管為所述第二N溝道金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管；

其中，所述第二N溝道金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管的源極為所述復位管的第一端口；所述第二N溝道金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管的漏極為所述復位管的第二端口；所述第二N溝道金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管的柵極為所述復位管的第三端口。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于電荷注入方式的指紋信息檢測電路，其特征在于，所述復位管的溝道寬度為所述第一N溝道金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管的溝道寬度的兩倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于電荷注入方式的指紋信息檢測電路，其特征在于，所述反饋單元接地。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于電荷注入方式的指紋信息檢測電路，其特征在于，所述反饋單元包含第一電容、第二電容與第三電容；

所述第一電容的正極與所述反饋單元的第一端口相連，負極與所述反饋單元的第二端口相連；

其中，所述反饋單元的第一端口與所述復位單元的第一輸出端口相連，所述反饋單元的第二端口與所述復位單元的第二輸出端口相連；

所述第二電容的正極與所述反饋單元的第一端口相連，負極接地；

所述第三電容的正極與所述反饋單元的第二端口相連，負極接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于電荷注入方式的指紋信息檢測電路，其特征在于，所述反饋單元還包含第四電容、第五電容、第六電容與電阻；

所述第四電容的正極與所述反饋單元的第一端口相連，負極與所述第五電容的正極相連；

所述第五電容的負極與所述反饋單元的第二端口相連；

所述第六電容的正極與所述第四電容的負極相連，所述第六電容的負極接地；

所述電阻一端與所述第五電容的正極相連，另一端接地。