[實用新型]一種定點提取晶圓表面污染物的裝置

有效

• 申請號: 201420074282.5
• 申請日: 2014-02-20
• 公開（公告）號: CN203705182U
• 公開（公告）日: 2014-07-09
• 發明（設計）人: 譚玉榮;劉慶修;李劍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G01N1/02
• 分類號: G01N1/02;G01N1/14
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

技術領域

本實用新型涉及半導體工藝設備領域，特別是涉及一種定點提取晶圓表面污染物的裝置。

背景技術

在半導體工藝過程中，晶圓表面金屬污染有可能對后續工藝及機臺造成污染，對產品的良率有著重大的影響，因此，發現晶圓表面有金屬污染，及時對金屬污染進行分析尤為重要。目前對晶圓表面金屬污染的分析方法由以下兩種：VPD（Vapor?Phase?Decomposition，氣相分解）進行分析和手動收集樣品進行分析。

現有工藝中采用手工收集樣品進行分析的方法包括以下步驟：

1）將HF/HNO₃溶液11鋪滿整片晶圓10進行金屬溶解（如圖1a所示）；

2）經過一段時間后，將整片晶圓10的HF/HNO₃液體11樣品聚集在一起（如圖1b所示）；

3）使用真空吸筆將樣品收集到樣品瓶；

4）將裝有樣品的樣品瓶送至測試機臺進行測試分析。

而無論是手動收集樣品方法還是VPD方法，都是只能收取整片晶圓的樣品分析，只能分析整片晶圓總體的污染水平和污染物種類，并不能定點的分析同片晶圓不同區域的污染物水平和污染物種類的不同。因此，如果同一片晶圓多個不同區域都存在有污染物，采用現有技術并不能詳細準確地分析出每個區域污染物的水平和污染物的種類。

鑒于此，有必要設計一種新的裝置以解決上述技術問題非常必要。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種定點提取晶圓表面污染物的裝置，用于解決現有技術中由于智能收取整片晶圓的樣品進行分析，只能分析整片晶圓總體的污染水平和污染物種類，并不能定點的、詳細轉確地分析出同片晶圓不同區域的污染物水平和污染物種類的不同的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種定點提取晶圓表面污染物的裝置，所述定點提取晶圓表面污染物的裝置至少包括：

底座，所述底座上設有放置晶圓的收容腔；

蓋體，所述蓋體上設有若干取樣口；

以及連接所述蓋體和底座的連接件。

作為本實用新型的定點提取晶圓表面污染物的裝置的一種優選方案，所述蓋體為圓形，所述蓋體的面積大于或等于所述晶圓的面積。

作為本實用新型的定點提取晶圓表面污染物的裝置的一種優選方案，所述取樣口均勻設置于所述蓋體上。

作為本實用新型的定點提取晶圓表面污染物的裝置的一種優選方案，所述取樣口底部與蓋體底部平齊，頂部高于蓋體頂部或與蓋體頂部平齊。

作為本實用新型的定點提取晶圓表面污染物的裝置的一種優選方案，所述取樣口的橫截面為圓形、三角形或多邊形。

作為本實用新型的定點提取晶圓表面污染物的裝置的一種優選方案，所述底座為圓形、正方形或矩形。

作為本實用新型的定點提取晶圓表面污染物的裝置的一種優選方案，所述收容腔為圓形，所述收容腔的面積大于或等于所述晶圓的面積；所述收容腔的深度d小于或等于所述晶圓的厚度。

作為本實用新型的定點提取晶圓表面污染物的裝置的一種優選方案，所述連接件由底座凸起部和位于蓋體一側的凸出部構成，所述底座凸起部靠近蓋體的一側內設有卡槽，所述蓋體通過設定在其一側的凸出部固定在底座凸起部的卡槽內上下滑動。

作為本實用新型的定點提取晶圓表面污染物的裝置的一種優選方案，所述底座凸起部的高度h₁大于或等于蓋體的厚度d₁和所述晶圓的厚度之和。

作為本實用新型的定點提取晶圓表面污染物的裝置的一種優選方案，所述蓋體一側凸出部的高度h₂小于或等于蓋體的厚度d₁；所述底座凸起部內卡槽的高度h₃小于或等于底座凸起部的高度h₁。

作為本實用新型的定點提取晶圓表面污染物的裝置的一種優選方案，所述蓋體一側凸出部的第一寬度d₂小于或等于底座凸起部卡槽開口的寬度d₃；所述蓋體一側凸出部的第二寬度d₄小于或等于底部凸起部卡槽的寬度d₅，大于或等于底座凸起部卡槽開口的寬度d₃。