[實用新型]一種相變存儲單元有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420072764.7 | 申請日： | 2014-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN203721775U | 公開（公告）日： | 2014-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孔濤;黃榮;張杰;衛(wèi)芬芬;程國勝 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 相變 存儲 單元 | ||
1.一種相變存儲單元，包括自下而上依次設(shè)置的襯底、下電極、下絕熱層、相變材料層、上絕熱層和上電極，所述上電極還與所述相變材料膜電連接，其特征在于，所述下絕熱層具有主要由復(fù)數(shù)個四棱臺狀單元組成的周期性結(jié)構(gòu)，所述相變材料層連續(xù)覆設(shè)在所述周期性結(jié)構(gòu)上，并形成復(fù)數(shù)個凹槽結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，所述下絕熱層具有主要由復(fù)數(shù)個二氧化硅四棱臺組成的周期性結(jié)構(gòu)，并且所述周期性結(jié)構(gòu)的周期為10-100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，所述四棱臺狀單元頂邊尺寸為15-100nm，底邊尺寸為30-150nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，所述下絕熱層的厚度為10-100nm，所述上絕熱層的厚度為10-200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，所述相變材料層的厚度為10-100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，所述上電極的寬度小于或等于覆設(shè)在每一四棱臺型單元頂部的相變材料層或每一凹槽結(jié)構(gòu)槽底面的寬度的三分之二。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，每一上電極與一引出電極一端連接，所述引出電極另一端穿過上絕熱層，并與所述相變材料層電性接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相變存儲單元，其特征在于，所述上電極與引出電極一體設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲單元，其特征在于，所述下電極包括鎢膜和氮化鈦/鎢雙層膜中的任一種。
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