[實(shí)用新型]免封裝型UVLED芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420070231.5 | 申請(qǐng)日： | 2014-02-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203826419U | 公開（公告）日： | 2014-09-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃慧詩(shī);郭文平;柯志杰;鄧群雄 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/38 | 分類號(hào)： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;劉海 |
| 地址： | 214192 江蘇省無錫*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 封裝 uvled 芯片 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種免封裝型UVLED芯片，包括襯底（7），在襯底（7）的正面依次設(shè)置N-GaN層（6）、發(fā)光層（5）、P-GaN層（4）和反射層（3）；其特征是：在所述反射層（3）、P-GaN層（4）和發(fā)光層（5）中設(shè)置通孔（8），通孔（8）由反射層（3）延伸至發(fā)光層（5）的底部，通孔（8）與N-GaN層（6）連通；在所述通孔（8）中和反射層（3）的表面設(shè)置N共晶電極（2），在反射層（3）表面設(shè)置P共晶電極（1）。
2.如權(quán)利要求1所述的免封裝型UVLED芯片，其特征是：所述N共晶電極（2）與P共晶電極（1）的上表面平齊。
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