[實用新型]最大亮度提升模塊、可控硅調光LED驅動電路及系統

有效

• 申請號: 201420060480.6
• 申請日: 2014-02-10
• 公開（公告）號: CN203801109U
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 杜磊;宗強;孫順根
• 申請（專利權）人: 上海晶豐明源半導體有限公司
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤

1.一種最大亮度提升模塊，其特征在于，包括：一運算放大器、一第一MOS晶體管以及一基準電壓源；?

所述運算放大器的第一輸入端為所述最大亮度提升模塊的輸入端，用以接收一采樣電壓信號，其第二輸入端與所述基準電壓源的輸出端電學連接，其輸出端電學連接至所述第一MOS晶體管的柵極，所述運算放大器控制所述第一MOS晶體管的導通阻抗，所述運算放大器閉環工作時保證兩個輸入端電壓相等；?

所述第一MOS晶體管的源極電學連接至所述運算放大器的第一輸入端，其漏極為所述最大亮度提升模塊的輸出端，輸出一電流信號用以控制一LED驅動電路的輸出電流。

2.根據權利要求1所述的最大亮度提升模塊，其特征在于，所述模塊進一步包括：一分壓處理單元以及一濾波單元；?所述分壓處理單元接收外部幅值為正的電壓信號并進行處理；?所述濾波單元分別電學連接至所述分壓處理單元以及所述運算放大器的第一輸入端，所述濾波單元用于對經所述分壓處理單元處理后的電壓信號進行濾波，獲取采樣電壓信號輸出至所述運算放大器的第一輸入端。

3.根據權利要求2所述的最大亮度提升模塊，其特征在于，所述分壓處理單元包括一上分壓電阻以及一下分壓電阻，所述濾波單元包括一濾波電阻以及一濾波電容；?所述上分壓電阻一端接收外部幅值為正的電壓信號，另一端與所述下分壓電阻電學連接，所述下分壓電阻另一端接地；?所述濾波電阻一端耦接至所述上分壓電阻和下分壓電阻之間，另一端分別電學連接至所述濾波電容的一端以及所述運算放大器的第一輸入端，所述濾波電容另一端接地。

4.根據權利要求3所述的最大亮度提升模塊，其特征在于，所述模塊進一步包括：一輸入電阻；?所述輸入電阻串接在所述濾波電阻與所述運算放大器的第一輸入端之間，并與所述第一MOS晶體管的源極電學連接，用于獲取分壓并輸出至所述第一MOS晶體管。

5.一種可控硅調光LED驅動電路，其特征在于，包括：一第二MOS晶體管、一峰值電流比較器、一前饋電阻、一參考電壓源以及一權利要求1至4任意一項所述的最大亮度提升模塊；

?所述第二MOS晶體管的漏極電學連接至一功率開關MOS晶體管的源極，所述第二MOS晶體管的源極電學連接一采樣電阻；?

所述最大亮度提升模塊的輸出端通過所述第一MOS晶體管的漏極電學連接至所述峰值電流比較器第一輸入端以及所述前饋電阻，所述第一MOS晶體管輸出的電流信號流經前饋電阻產生直流偏壓；?

所述峰值電流比較器第一輸入端通過所述前饋電阻與采樣電阻電學連接，其第二輸入端與所述參考電壓源的輸出端電學連接，其輸出端耦接至所述第二MOS晶體管的柵極，所述峰值電流比較器用于將所述前饋電阻及采樣電阻的電壓幅值之和與所述參考電壓源的電壓閾值比較，控制所述第二MOS晶體管的導通與關閉。

6.根據權利要求5所述的可控硅調光LED驅動電路，其特征在于，所述電路進一步包括一最大開通時間計時器、一或邏輯門以及一RS觸發器；?所述最大開通時間計時器的一端分別電學連接至所述RS觸發器的輸出端以及第二MOS晶體管的柵極，所述最大開通時間計時器的另一端電學連接至所述或邏輯門的一輸入端；?所述或邏輯門的另一輸入端電學連接所述峰值電流比較器的輸出端，所述或邏輯門的輸出端電學連接至所述RS觸發器的復位端；?當所述第二MOS晶體管的電流使所述峰值電流比較器的輸出端翻轉，或者所述最大開通時間計時器檢測到所述第二MOS晶體管的開通時間達到預設時間時，所述或邏輯門輸出信號使所述RS觸發器復位，從而關閉所述第二MOS晶體管。

7.根據權利要求6所述的可控硅調光LED驅動電路，其特征在于，所述電路進一步包括一退磁檢測器；?所述退磁檢測器的輸入端與所述功率開關MOS晶體管的源極電學連接，其輸出端電學連接至所述RS觸發器的置位端，所述退磁檢測器用于檢測所述功率開關MOS晶體管的源極電壓變化，并輸出信號使所述RS觸發器置位，從而開通所述第二MOS晶體管。