[實用新型]使用多晶半導體晶片的直接轉換型x射線成像探測器

有效

• 申請號: 201420052481.6
• 申請日: 2014-01-27
• 公開（公告）號: CN203674214U
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 吳召平;佘銘鋼
• 申請（專利權）人: 通用電氣（中國）研究開發中心有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張曉明

1.一種數字x射線探測器，包括：用來將x射線直接轉換成電信號的轉換體層、以及由用來存儲和讀取所述電信號的像素化電容和像素化薄膜晶體管組成的有源矩陣，其特征在于，所述轉換體層包括多晶片和位于該多晶片兩邊的用來給該多晶片提供電場的電極。

2.如權利要求1所述的一種數字x射線探測器，其特征在于，所述電極包括位于所述多晶片前邊的片狀電極、以及位于所述多晶片后邊的由多個對應所述像素化電容的像素化電極形成的電極矩陣。

3.如權利要求2所述的一種數字x射線探測器，其特征在于，所述片狀電極、多晶片、像素化電極、像素化電容和像素化薄膜晶體管沿著x射線的入射方向依次排布。

4.如權利要求2或3所述的一種數字x射線探測器，其特征在于，所述像素化電極與所述像素化電容一一對應，所述像素化電容與所述像素化薄膜晶體管一一對應。

5.如權利要求2所述的一種數字x射線探測器，其特征在于，在所述多晶片和像素化電極之間還包括電子阻隔層。

6.如權利要求1所述的一種數字x射線探測器，其特征在于，所述多晶片是由禁帶寬度在1.0至1.6eV范圍內的材料所形成的。

7.如權利要求1所述的一種數字x射線探測器，其特征在于，所述多晶片是由多晶硅、多晶碲化鎘、多晶鎘鋅碲化物和多晶砷化鎵中的至少一種材料所形成的晶片。

8.如權利要求1所述的一種數字x射線探測器，其特征在于，所述電極是由金、鋁、鉑、銀、石墨中的至少一種材料形成的。

9.如權利要求1所述的一種數字x射線探測器，其特征在于，所述薄膜晶體管為非晶硅、微晶硅、有機薄膜電晶體中的一種。

10.如權利要求1所述的一種數字x射線探測器，其特征在于，該數字x射線探測器進一步包括平板，其中所述轉換體層、有源矩陣和平板沿x射線的入射方向依次排布。