[實用新型]減反射膜及具有該減反射膜的太陽能電池片

有效

• 申請號: 201420050604.2
• 申請日: 2014-01-26
• 公開（公告）號: CN203690312U
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 康海濤;和江變;馬承鴻;倪明鏡;李健;賈影
• 申請（專利權）人: 內蒙古日月太陽能科技有限責任公司;內蒙古大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 于寶慶;劉春生

技術領域

本實用新型涉及太陽能利用技術領域，尤其涉及一種減反射膜及具有該減反射膜的太陽能電池片。

背景技術

隨著科技的快速發展，晶體硅太陽電池及光伏系統的成本持續下降，已逼近常規發電。晶體硅太陽能電池具有制作工藝成熟、光電轉換效率高、性能穩定、商業化程度高等優點，占整個光伏市場份額的約90%。常規太陽能級的多晶硅都用改良西門子法提純技術，此技術成熟度高，生產的硅純度高，但也存在產能低、對環境威脅大等缺點，最大問題是成本高。近些年發展起來的物理冶金法提純多晶硅技術具有生產工藝簡單、成本低、產能大和對環境友好的優點，有可能成為未來多晶硅太陽能電池材料的發展方向。

為了降低硅表面對光的反射，常規晶體硅太陽電池表面都要沉積氮化硅減反射膜，此膜同時還可起到表面鈍化的作用，可鈍化半導體表面和內部的懸掛鍵，降低態密度，有抗氧化、腐蝕、絕緣及阻擋鈉離子、掩蔽金屬和水蒸汽向半導體內部擴散等作用。

目前硅太陽電池的光譜響應一般在300nm～1200nm范圍，電池主要利用此范圍的太陽光。產業化通常利用PECVD(等離子增強化學氣相沉積)沉積雙層氮化硅薄膜作為多晶硅太陽電池的減反射及鈍化薄膜，以替代原來的單層膜，常規工藝的第一層膜厚為30～35nm，折射率為2.6～2.8，第二層膜厚為50～55nm，折射率為2.0～2.2，總膜厚為85～90nm，折射率為2.0～2.1。雖然雙層氮化硅膜明顯改善了只有單層氮化硅薄膜帶來的問題，增強了對光的減反射效果，使電池的短路電流得以提高，但雙層氮化硅膜最大的問題是在短波方向的減反射效果差，所以必須不斷改善及優化沉積工藝。

發明內容

針對現有技術中存在的問題，本實用新型的目的在于解決現有技術中太陽能電池片存在的短波方向的減反射效果差的技術問題，提供一種具有三層膜結構的減反射膜。

為實現上述目的，本實用新型的技術方案如下：

一種用于太陽能電池片的減反射膜，所述減反射膜包括：

第一層膜，覆蓋于所述太陽能電池片的表面；

第二層膜，覆蓋于所述第一層膜的上表面；以及

第三層膜，覆蓋于所述第二層膜的上表面，所述第一層膜、所述第二層膜和所述第三層膜的總折射率為2.08～2.16，所述第一層膜、所述第二層膜和所述第三層膜的厚度之和為82～86nm，且所述第一層膜的折射率大于所述第二層膜的折射率，所述第二層膜的折射率大于所述第三層膜的折射率。

在本實用新型的減反射膜的一個實施方式中，所述第二層膜的厚度小于所述第一層膜的厚度和所述第三層膜的厚度。

在本實用新型的減反射膜的另一個實施方式中，所述第一層膜、所述第二層膜和所述第三層膜均為氮化硅膜。

在本實用新型的減反射膜的另一個實施方式中，所述第一層膜的厚度為24～28nm。

在本實用新型的減反射膜的另一個實施方式中，所述第一層膜的折射率為2.5～2.7。

在本實用新型的減反射膜的另一個實施方式中，所述第二層膜的厚度為10～15nm。

在本實用新型的減反射膜的另一個實施方式中，所述第二層膜的折射率為2.2～2.4。

在本實用新型的減反射膜的另一個實施方式中，所述第三層膜的厚度為40～50nm。

在本實用新型的減反射膜的另一個實施方式中，所述第三層膜的折射率為1.9～2.0。

另一方面，本實用新型還提供一種太陽能電池片，所述太陽能電池片的表面具有上述減反射膜。

再一方面，本實用新型還提供一種太陽能電池板，太陽能電池板內封裝有上述太陽能電池片。

相比于現有技術，本實用新型的有益效果在于：

本實用新型的減反射膜在入射光整個波段有很低的反射率，明顯改善了電池在短波方向的反射率，三層膜互補形成的薄膜起到良好的減反射效果，不但提高了電池對短波長光的吸收并為后續工序提供了較好的氫鈍化效果。

附圖說明

圖1為本實用新型的減反射膜的結構示意圖；

圖2為本實用新型的減反射膜與現有技術的雙層減反射膜的反射率曲線圖。

其中，附圖標記說明如下：

101?????硅片基底

201?????第一層膜

202?????第二層膜

203?????第三層膜

具體實施方式