[實用新型]一種IGBT芯片結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420045503.6 | 申請日: | 2014-01-24 |
| 公開(公告)號: | CN203746860U | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 紅梅 | 申請(專利權(quán))人: | 嘉興斯達微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/739 | 分類號: | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司: | 杭州九洲專利事務(wù)所有限公司 33101 | 代理人: | 翁霽明 |
| 地址: | 314006 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 igbt 芯片 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種IGBT芯片結(jié)構(gòu),它主要包括柵極焊盤、發(fā)射極焊盤、柵極總線,其特征在于所述IGBT芯片的版圖布局呈為中心對稱結(jié)構(gòu),所述柵極焊盤設(shè)置于IGBT芯片的正面中央;柵極總線設(shè)置在芯片橫向中心、縱向中心并且在芯片橫向中心、縱向中心處連接柵極焊盤;柵極總線設(shè)置在芯片外圍形成環(huán)狀,并且在芯片橫向中心和縱向中心處連接柵極焊盤引出來的柵極總線;所述發(fā)射極設(shè)置在柵極總線和柵極焊盤圍繞的區(qū)域內(nèi),并對稱的開出四個發(fā)射極焊盤。
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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