[實用新型]晶圓減薄結構

有效

• 申請號: 201420045384.4
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN203733801U
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 施建根
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 孟阿妮

技術領域

本實用新型涉及一種半導體封裝結構，尤其涉及一種晶圓減薄結構。

背景技術

近年來，半導體器件在成本降低和前道晶圓制造工藝的提升的共同促進下，實現了同樣功能的半導體器件的單體芯片尺寸越來越小的目標，這樣會導致半導體器件散熱要求越來越高，同時也需要半導體器件越來越薄，原來的圓片級封裝工藝晶圓減薄工藝無法滿足薄形化和高散熱的要求。

通過現有圓片級封裝晶圓減薄工藝，晶圓背部減薄后會出現整體翹曲的情況，如圖1所示為現有的圓片級封裝工藝進行晶圓減薄后的截面圖，圖2為晶圓背部減薄后翹曲的截面圖，301為芯片，305為芯片上生成的凸點,306為包覆芯片和凸點的保護膜，302a為半導體器件的減薄后的晶圓；現有工藝中，晶圓進行減薄后去除包覆在凸點上的保護膜306后，晶圓會出現翹曲的情況。

實用新型內容

在下文中給出關于本實用新型的簡要概述，以便提供關于本實用新型的某些方面的基本理解。應當理解，這個概述并不是關于本實用新型的窮舉性概述。它并不是意圖確定本實用新型的關鍵或重要部分，也不是意圖限定本實用新型的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細描述的前序。

本實用新型提供一種晶圓減薄結構，包括：晶圓，多個芯片，導電凸點；各所述芯片在所述晶圓一面呈陣列分布；所述導電凸點形成于所述芯片遠離所述晶圓的表面，所述導電凸點為銅柱；所述晶圓未形成有所述芯片的一面具有周邊厚中間薄的環狀結構。

本實用新型提供的晶圓減薄結構，實現了同樣功能的半導體器件圓片封裝的單體芯片厚度越來越薄的目標，并且更重要的是實現了晶圓背部減薄后只有微小翹曲的目標。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有工藝中晶圓背面整體減薄后截面圖；

圖2為現有工藝中晶圓整體減薄后翹曲的截面圖；

圖3至圖5為本實用新型實施例中晶圓減薄前封裝示意圖；

圖6為本實用新型實施例中晶圓減薄結構示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。在本實用新型的一個附圖或一種實施方式中描述的元素和特征可以與一個或更多個其它附圖或實施方式中示出的元素和特征相結合。應當注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本實用新型無關的、本領域普通技術人員已知的部件和處理的表示和描述。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有付出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

本實用新型提供了一種晶圓減薄結構，如圖6所示，包括晶圓302b，多個芯片201，導電凸點203；各所述芯片201在所述晶圓302b一面呈陣列分布；所述導電凸點203形成于所述芯片201遠離所述晶圓的表面，所述導電凸點為銅柱；所述晶圓未形成有所述芯片的一面具有周邊厚中間薄的環狀結構。本發明提供的所述晶圓減薄結構在晶圓的一面選擇性減薄形成環狀結構，實現了晶圓封裝越來越薄的要求的同時，晶圓背部只有微小的翹曲的目標。

對晶圓進行選擇性減薄，所述選擇性減薄為晶圓上未排列有芯片的一面，將晶圓形成有凸點的一面向下，放置在載片臺上，對晶圓未形成凸點的一面即晶圓的背面進行選擇性環狀減薄。所述選擇性減薄方法為：利用球狀齒輪進行環狀打磨，將晶圓中間部分減薄，保留晶圓四周部分，形成環狀結構。

現有的晶圓減薄方法是將晶圓背部全部去除直至達到需要的厚度，這種方法在晶圓減薄后，撕去凸點上的保護膜后，晶圓會出現翹曲的情況，如圖1和圖2所示，并且晶圓越接近邊緣翹曲程度越厲害，為了減小減薄后的晶圓的翹曲程度，本發明將翹曲程度最為嚴重的邊緣保留下來，形成一個環狀結構，周邊的晶圓保留的較厚，就算會發生翹曲變形，邊緣的厚度也足以使翹曲變得很小，相對于現有工藝來說，翹曲得到了很大的改善。