[實用新型]高速APD-TIA同軸光接收組件

有效

• 申請號: 201420045257.4
• 申請日: 2014-01-24
• 公開（公告）號: CN203747834U
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 阮揚;米全林
• 申請（專利權）人: 武漢電信器件有限公司
• 主分類號: H04B10/60
• 分類號: H04B10/60
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228
• 代理人: 張瑾

技術領域

本實用新型涉及光通信領域，尤其涉及一種高速APD-TIA同軸光接收組件。

背景技術

在光通信技術領域中，相比較于傳統的光電二極管（PIN?PD），雪崩光電二極管（APD）除具有光電轉換功能，還具有光電倍增作用，故主要應用于靈敏度要求較高的場合。當前迅速發展的高速長距離密集型光波復用傳輸網和高速光接入網，對工作速率達到10Gb/s的APD和跨阻放大器（TIA）封裝而成的10G?APD-TIA同軸光接收組件的需求非常迫切。

如何在低成本、實用性、高可靠性的前提下，優化10G?APD-TIA同軸光接收組件的靈敏度成為目前業界的研究熱點。從封裝電路設計上考慮，10G?APD-TIA組件的優化設計，實際上主要是高速信號回路的優化設計，該信號回路包括信號路徑和返回路徑，因此，不僅要重視對信號路徑上信號線的設計，更要重視返回路徑的設計。TIA地線是10G?APD-TIA同軸光接收組件中最主要的高速信號返回路徑。減少TIA地線的線長，即減小返回路徑的寄生電感對提高整個組件的靈敏度來說是極其重要的。

目前業界出現了在TIA背面設計接地過孔的方式，這種TIA不需再設計地線，可減小返回路徑的寄生電感，但受到材料和制作工藝的限制，這種TIA價格昂貴，且可靠性較差，無法滿足市場批量化的需求。

相比而言，金絲鍵合的TIA接地方式工藝更加成熟穩定，且TIA可靠性更高，現該方式在業界廣為使用。但是由于同軸TO底座的內部空間較小，留給TIA地線金絲鍵合的空間非常有限，同時從TIA的GND焊盤到TO底座地平面有一段高度差。這就使TIA地線的金絲鍵合長度無法進行控制，從而導致返回路徑的寄生電感增加，對組件性能有以下不良影響：（1）增加高頻信號電流在返回路徑上產生的地彈噪聲電壓；（2）高速信號回路的抗電磁干擾能力下降；（3）劣化組件頻率響應。而這些不良影響最終都會導致無法提高組件的靈敏度。

因此有必要設計一種新型的高速APD-TIA同軸光接收組件，以克服上述問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服現有技術之缺陷，提供了一種具有較高靈敏度的高速APD-TIA同軸光接收組件。

本實用新型是這樣實現的：

????本實用新型提供一種高速APD-TIA同軸光接收組件，包括一TIA、一U型陶瓷鍍金過渡塊、一APD組裝件、一濾波電容、一RC濾波組件以及一TO底座；所述TIA、所述U型陶瓷鍍金過渡塊、所述APD組裝件、所述濾波電容以及所述RC濾波組件均裝設于所述TO底座上；其中，所述TIA位于所述U型陶瓷鍍金過渡塊的U型槽內，所述TIA的上表面設有GND焊盤，所述GND焊盤與所述U型陶瓷鍍金過渡塊的上表面位于同一平面。

進一步地，所述APD組裝件具有一微透鏡，所述微透鏡的中心與所述TO底座同心設置。

進一步地，所述GND焊盤到所述U型陶瓷鍍金過渡塊上表面的金絲鍵合采用自動化楔焊工藝。

進一步地，所述TIA、所述U型陶瓷鍍金過渡塊、所述APD組裝件、所述濾波電容以及所述RC濾波組件均通過導電膠安裝于所述TO底座上。

進一步地，所述U型陶瓷鍍金過渡塊由氧化鋁陶瓷制成，并采用薄膜工藝進行表面鍍金處理。

更進一步地，所述TO底座為光通信行業廣泛使用的高頻同軸TO-46底座。

本實用新型具有以下有益效果：

所述TIA的GND焊盤與所述U型陶瓷鍍金過渡塊的上表面位于同一平面，因此可盡量縮短所述GND焊盤到所述U型陶瓷鍍金過渡塊上表面的金絲鍵合的金絲長度，從而有效的減小信號返回路徑的寄生電感，提高了所述高速APD-TIA同軸光接收組件的輸出信噪比，從而保證了所述高速APD-TIA同軸光接收組件具有較高的靈敏度。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為本實用新型實施例提供的同軸光接收組件的結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的U型陶瓷鍍金過渡塊的立體圖。

具體實施方式