[實用新型]空間調(diào)制結(jié)構(gòu)的光電探測器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420044756.1
• 申請日: 2014-01-23
• 公開（公告）號: CN203690302U
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝生;劉娜;毛陸虹;張世林
• 申請（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號: H01L27/14
• 分類號: H01L27/14
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務(wù)所 12201
• 代理人: 劉國威

1.一種空間調(diào)制結(jié)構(gòu)的光電探測器，其特征是，結(jié)構(gòu)為：P型襯底上制作有淺溝槽隔離區(qū)，淺溝槽隔離區(qū)內(nèi)感光二極管和遮光二極管間隔排列；感光二極管由中等摻雜濃度的N型阱區(qū)與P型襯底構(gòu)成，遮光二極管由中等摻雜濃度的N型阱區(qū)、P型襯底及第二層互連金屬構(gòu)成，在中等摻雜濃度的N型阱區(qū)上方依次設(shè)置有N型重摻雜的N阱接觸區(qū)，在中等摻雜濃度的N型阱區(qū)周圍設(shè)置有P型重摻雜的襯底接觸區(qū)，P型重摻雜的襯底接觸區(qū)構(gòu)成感光二極管和遮光二極管的陽極電極；N型重摻雜的N阱接觸區(qū)構(gòu)成感光二極管和遮光二極管的陰極電極；第一層互連金屬交替連接相鄰感光二極管和遮光二極管的陰陽電極；第一層互連金屬與其上方的第二層互連金屬之間為第二層間介質(zhì)，P型重摻雜的襯底接觸區(qū)、中等摻雜濃度的N型阱區(qū)上方除陰極、陽極外與第二層間介質(zhì)之間為第一層間介質(zhì)；第二層互連金屬作為遮光二極管的遮擋材料。

2.如權(quán)利要求1所述的空間調(diào)制結(jié)構(gòu)的光電探測器，其特征是，層間介質(zhì)為有機硅化物介質(zhì)層。

3.如權(quán)利要求1所述的空間調(diào)制結(jié)構(gòu)的光電探測器，其特征是，還連接有電阻做負載的差分共源級跨阻放大器，感光二極管、遮光二極管的陽極電極接GND電位，感光二極管、遮光二極管的陰極分別接差分放大器的輸入端口。