[實(shí)用新型]引線鍵合機(jī)及其金屬基座有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420043653.3 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203721685U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐世明;沐運(yùn)華;廖偉強(qiáng) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/60 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏曉波 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 引線 鍵合機(jī) 及其 金屬 基座 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及鍵合技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說(shuō),涉及一種引線鍵合機(jī)及其金屬基座。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體功率器件正在向著高度集成的方向發(fā)展,因此越來(lái)越多的半導(dǎo)體功率器件中芯片需要與引線框架進(jìn)行鍵合。現(xiàn)有技術(shù)中一般采用引線鍵合機(jī)將芯片的電極與引線框架的引腳進(jìn)行鍵合,即引線鍵合機(jī)中的超聲波發(fā)生器產(chǎn)生高頻信號(hào),由換能系統(tǒng)將高頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為高頻機(jī)械振動(dòng),在一定時(shí)間內(nèi)將芯片的電極與引線框架的引腳鍵合形成共同結(jié)晶。目前用于承載引線框架的基塊均為金屬基座,金屬基座的鍵合區(qū)域用于承載引線框架,當(dāng)引線框架在其上發(fā)生高頻機(jī)械振動(dòng)時(shí),往往使得引線框架在金屬基座上發(fā)生震動(dòng)位置偏移,進(jìn)而使得鍵合后的結(jié)晶外觀毛刺較多,影響鍵合的質(zhì)量。
綜上所述,如何有效地解決引線框架在金屬基座上發(fā)生震動(dòng)位置偏移影響鍵合質(zhì)量的問(wèn)題,是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于此,本實(shí)用新型的第一個(gè)目的在于提供一種金屬基座,該金屬基座的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以有效地解決引線框架在金屬基座上發(fā)生震動(dòng)位置偏移影響鍵合質(zhì)量的問(wèn)題,本實(shí)用新型的第二個(gè)目的是提供一種包括上述金屬基座的引線鍵合機(jī)。
為了達(dá)到上述第一個(gè)目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
一種金屬基座,設(shè)置于引線鍵合機(jī)中用于承載引線框架,包括第一分座和第二分座,所述第一分座和第二分座的鍵合區(qū)域內(nèi)均開(kāi)設(shè)有容置槽,且所述容置槽內(nèi)部鑲嵌有橡膠墊。
優(yōu)選地,上述金屬基座中,所述橡膠墊的厚度為1.55mm-1.65mm。
優(yōu)選地,上述金屬基座中,所述橡膠墊的厚度為1.6mm。
優(yōu)選地,上述金屬基座中,所述橡膠墊的邵氏硬度為64HA-66HA。
優(yōu)選地,上述金屬基座中,所述橡膠墊的邵氏硬度為65HA。
優(yōu)選地,上述金屬基座中,所述橡膠墊具體為聚乙烯材質(zhì)制作形成。
優(yōu)選地,上述金屬基座中,所述橡膠墊通過(guò)粘貼的方式設(shè)置于所述容置槽內(nèi)。
一種引線鍵合機(jī),包括如上述中任一項(xiàng)所述的金屬基座。
本實(shí)用新型提供的金屬基座,能夠設(shè)置于引線鍵合機(jī)中用于承載引線框架,其包括第一分座和第二分座,并且第一分座和第二分座均具有鍵合區(qū)域,其中第一分座和第二分座的鍵合區(qū)域內(nèi)均開(kāi)設(shè)有容置槽,且容置槽內(nèi)部鑲嵌有橡膠墊。即第一分座和第二分座的鍵合區(qū)域內(nèi)的容置槽內(nèi)均鋪設(shè)有橡膠墊。
應(yīng)用本實(shí)用新型提供的金屬基座時(shí),由于第一分座和第二分座的鍵合區(qū)域內(nèi)的容置槽內(nèi)均鑲嵌有橡膠墊,如此設(shè)置,引線框架則直接與橡膠墊接觸,當(dāng)引線框架發(fā)生高頻機(jī)械振動(dòng)時(shí),引線框架與金屬基座之間的震動(dòng)會(huì)被橡膠墊吸收,從而可以避免引線框架在金屬基座上發(fā)生位置偏移而影響鍵合質(zhì)量。如此進(jìn)行鍵合,可以有效的減少鍵合得到的結(jié)晶表面的毛刺,提高其外觀質(zhì)量。
為了達(dá)到上述第二個(gè)目的,本實(shí)用新型還提供了一種引線鍵合機(jī),該引線鍵合機(jī)包括上述任一種金屬基座。由于上述的金屬基座具有上述技術(shù)效果,具有該金屬基座的引線鍵合機(jī)也應(yīng)具有相應(yīng)的技術(shù)效果。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第一分座的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第一分座的俯視圖;
圖3為圖2中沿A-A的剖視圖;
圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第二分座的俯視圖;
圖5為圖4中沿B-B的剖視圖.
附圖中標(biāo)記如下:
1-第一分座、2-容置槽、3-第二分座。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的第一個(gè)目的在于提供一種金屬基座,該金屬基座的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以有效地解決引線框架在金屬基座上發(fā)生震動(dòng)位置偏移影響鍵合質(zhì)量的問(wèn)題,本實(shí)用新型的第二個(gè)目的是提供一種包括上述金屬基座的引線鍵合機(jī)。
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





