[實用新型]光電子集成芯片的封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420040487.1 | 申請日: | 2014-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN203707560U | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 成璇璇;樊士彬;黃國濤;李鳳 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢電信器件有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/026 | 分類號: | H01S5/026;H01S5/024 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228 | 代理人: | 張瑾 |
| 地址: | 430074 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電子 集成 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及光電子器件領(lǐng)域,尤其涉及一種光電子集成芯片的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
光子集成是近年來光通信產(chǎn)業(yè)的熱門話題之一,是多年來業(yè)界公認的未來發(fā)展方向。但是光子集成技術(shù)提出30多年來,從業(yè)界的商用情況看整體仍舊處于初級階段,還沒有達到規(guī)模商用的條件,究其原因還是受制于光子集成技術(shù)本身的限制和供應鏈的單一、不成熟性。
光子集成按照實現(xiàn)集成的技術(shù)方式分類,可以分為單片集成(Monolithic?Integration)和混合集成(Hybrid?Integration)。其中單片集成指的是在單一襯底上實現(xiàn)預期的各種功能?;旌霞芍覆捎貌煌牟牧蠈崿F(xiàn),而后將這些不同的功能部件固定在一個統(tǒng)一的基片上。一般來講,水平集成比較適合采用單片集成方式,垂直集成比較適合采用混合集成方式。但是業(yè)界的長期目標還是單片集成。
由于光纖通信網(wǎng)絡的飛速發(fā)展,由分立光電子器件構(gòu)造的光網(wǎng)絡設備已經(jīng)不能滿足其要求。而集成芯片是實現(xiàn)大容量、低功耗光網(wǎng)絡所必須依賴的技術(shù)?,F(xiàn)有的集成芯片尺寸已經(jīng)達到了微米數(shù)量級,這對器件小型化封裝提出了更高的要求。過長或者過細的金絲都與導致電感效應,引入較多的寄生參數(shù),影響整個陣列的高頻性能。并且高度集成陣列芯片所引起的散熱問題以及耦合效率的問題也難以解決。
因此有必要設計一種新型的光電子集成芯片的封裝結(jié)構(gòu),以克服上述問題。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷,提供了一種可減小封裝空間的光電子集成芯片的封裝結(jié)構(gòu)。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的:
????本實用新型提供一種光電子集成芯片的封裝結(jié)構(gòu),包括金屬管殼、集成芯片、射頻過渡塊、直流過渡塊以及芯片過渡塊;所述集成芯片、所述射頻過渡塊、所述直流過渡塊以及所述芯片過渡塊均裝設于所述金屬管殼內(nèi),所述集成芯片貼附于所述芯片過渡塊上的金錫焊料區(qū)域,所述射頻過渡塊和所述直流過渡塊均電性連接所述集成芯片,且所述直流過渡塊設于所述射頻過渡塊的正上方,所述直流過渡塊與所述射頻過渡塊之間設有墊塊。
進一步地,所述直流過渡塊與所述射頻過渡塊的相對兩面均鍍金。
進一步地,所述射頻過渡塊上設有多個過孔。
進一步地,所述光電子集成芯片的封裝結(jié)構(gòu)還包括一鎢銅熱沉,所述鎢銅熱沉設于所述金屬管殼內(nèi),所述鎢銅熱沉上方設有準直透鏡和聚焦透鏡,所述準直透鏡和所述聚焦透鏡之間設有隔離器。
進一步地,還包括光纖組件,所述光纖組件與所述準直透鏡、所述聚焦透鏡位于同一直線上,且固定于所述鎢銅熱沉上。
更進一步地,所述鎢銅熱沉下方設有半導體制冷器,所述半導體制冷器位于所述金屬管殼內(nèi)。
本實用新型具有以下有益效果:
????所述射頻過渡塊和所述直流過渡塊采用上下層設置,并且中間使用墊塊連接,因此相對于在平面內(nèi)設計的封裝結(jié)構(gòu),所述光電子集成芯片的封裝結(jié)構(gòu)可有效的減小封裝空間,使得產(chǎn)品微型化。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
圖1為本實用新型實施例提供的光電子集成芯片的封裝結(jié)構(gòu)的立體圖;
圖2為本實用新型實施例提供的射頻過渡塊和所述直流過渡塊的立體圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
如圖1-圖2,本實用新型實施例提供一種光電子集成芯片的封裝結(jié)構(gòu),包括金屬管殼1、集成芯片3、射頻過渡塊5、直流過渡塊4以及芯片過渡塊2。所述集成芯片3、所述射頻過渡塊5、所述直流過渡塊4以及所述芯片過渡塊2均裝設于所述金屬管殼1內(nèi),所述金屬管殼1密封設置。所述集成芯片3貼附于所述芯片過渡塊2上的金錫焊料區(qū)域,也即是說,所述芯片過渡塊2上濺射有金錫焊料,從而便于所述集成芯片3與芯片過渡塊2的貼合,同時也可改善集成芯片3的散熱。所述芯片過渡塊2上還設有熱敏電阻,用于監(jiān)控激光器的工作溫度。
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