[實用新型]一種新結構閃爍晶體射線探測頭有效
| 申請號: | 201420037866.5 | 申請日: | 2014-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN203705648U | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 吳少凡 | 申請(專利權)人: | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號: | G01T1/202 | 分類號: | G01T1/202;G01T7/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 350002 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 結構 閃爍 晶體 射線 探測 | ||
技術領域
本發明涉及射線探測器領域,特別涉及一種新結構閃爍晶體射線探測頭。
背景技術
閃爍晶體可以做成探測器,閃爍晶體探測器在高能物理、核物理、影像核醫學診斷(XCT、PET)、地質勘探、天文空間物理學以及安全稽查等領域中有著巨大的應用前景。隨著核科學技術以及其它相關技術的飛速發展,其應用領域在不斷的拓寬。不同應用領域對無機閃爍體也提出了更多更高的要求。傳統的NaI(Tl)、BGO等閃爍晶體探測器已經無法滿足新的應用領域的特殊要求。
摻鈰溴化鑭(LaBr3:Ce)自1999年被發現后,由于其優異的閃爍性能掀起了研究研究的熱潮。摻鈰溴化鑭光輸出可達78000Ph/MeV,其衰減時間快達30ns,其密度為5.1g/cm3,對高能射線的吸收能力明顯強于NaI:Tl晶體,且其環境污染的風險遠遠小于NaI:Tl,因此LaBr3:Ce晶體目前已成為光輸出高、衰減快閃爍晶體的代表,該晶體有望全面取代NaI:Tl晶體,從而在醫療儀器、安全檢查和油井探測等領域得到廣泛使用。但LaBr3:Ce晶體生長困難,組份嚴重揮發,且非常容易和氧、水反應;且晶體非常容易開裂。因此LaBr3:Ce晶體的產率很低,大尺寸晶體生長尤為困難,價格也極其昂貴,并且摻鈰鹵化鑭晶體具有極易潮解的物化特性,如果探頭不具有較好的密封性極易導致器件失效,同時傳統的射線探測器探頭由于封裝結構設計原因導致整體熒光輸出效率偏低。
發明內容
本發明的目的是克服現有技術的缺點,提供一種新結構的摻鈰鹵化鑭閃爍晶體射線探測頭,該方法可以在同等條件下大幅度提高探測頭的整體熒光輸出效率。
本發明通過以下技術手段實現:
一種新結構閃爍晶體射線探測頭,包括由平面石英玻璃、底座構成的封裝外殼和安裝在封裝外殼中的閃爍晶體,將所述閃爍晶體射線入射面、熒光發射面和側面拋光,并在射線入射面和側面鍍制寬譜全反射膜,所述寬譜全反射膜的透光波段為360nm~600nm,所述寬譜全反射膜具有疏水性,可以隔絕外界水汽,所述閃爍晶體也可以加工成圓柱體或圓錐體,所述平面石英玻璃一面與晶體通過光膠鍵合或高折射密封膠粘結在一起,另一面鍍制與發射熒光相同波段的增透膜,所述平面石英玻璃與底座通過密封膠緊密粘結,所述石英玻璃表面粘結有棱鏡增亮膜(BEF),其表面為數十微米左右高度的微三棱鏡結構,所述棱鏡增亮膜可以將原先大視角的發散光,聚攏在70°范圍內出射。
采用本發明的一種新結構閃爍晶體射線探測頭,可以防止閃爍晶體潮解失效的同時大幅度提高探測頭的整體熒光輸出效率,封裝工藝簡單,適合規模化生產。
附圖說明
附圖為本發明的一種新結構閃爍晶體射線探測頭的結構示意圖。其中101為增亮膜,102為石英玻璃,103為底座,104為晶體
具體實施方式
實施例一:
以摻鈰溴化鑭晶體為例:
(1)晶體加工
首選是切割工序。利用內圓切割機,將摻鈰溴化鑭晶體毛坯切割成為一塊六方體器件,尺寸為25mm×25mm×30mm。在切割過程中始終保持切割油覆蓋在晶體毛坯上,避免切割過程中,空氣里頭的水分對晶體的腐蝕。切割油是由水含量小于10ppm的硅油構成。
然后是拋光工序。利用變頻調速二軸手拋機對晶體進行六面拋光。采用瀝青材料作為拋光盤,采用超細氧化鈰作為拋光粉,采用水含量小于10ppm硅油為拋光試劑。利用大功率去濕機,在拋光過程中始終保持室內的濕度小于20%,避免拋光過程中,空氣里頭的水分對晶體的腐蝕。
最后是鍍膜工序。在射線入射面和四個側面鍍制全反射膜,形成一個導光通道,最大限度的減少熒光從非出光面的泄漏,同時晶體六面鍍制的膜層可以有效隔絕通過鋁殼與石英玻璃粘結層泄漏到探測使中的微量水氣對晶體的侵蝕。采用設備為具有冷凝泵系統和行星轉動裝置的美國VEECO鍍膜機,采用離子束濺射蒸發材料,采取石英晶體膜厚控制儀STC—200控制蒸發速率和膜厚。使用酒精和乙醚的混合液在要鍍制晶體表面擦拭,要求沒有點子,劃痕,無擦痕,表面擦拭后質量S/D做到20/10。膜層的膜系設計為“晶體/Al2O3/Al/Al2O3/SiO2/空氣”,各個膜層的厚度分別是30nm/80nm/60nm/50nm,最終反射膜的反射率R>95%@(360nm~600nm)。
(2)晶體封裝
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院福建物質結構研究所,未經中國科學院福建物質結構研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420037866.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種新型無線感應式充電探測儀
- 下一篇:一種GPS多天線切換共享復用裝置





