[實用新型]晶片擦洗機

有效

• 申請號: 201420035562.5
• 申請日: 2014-01-20
• 公開（公告）號: CN203674173U
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 陳定平;吳遠琴;李明
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術，尤其涉及一種晶片擦洗機。

背景技術

隨著大規模集成電路的發展，集成度不斷提高、線寬不斷減小，對晶片的質量要求也更高，尤其是晶片表面質量。因為，晶片表面上的顆粒會嚴重影響期間質量和成品率。

半導體制造過程中很多工序后都要對晶片進行擦洗，以去除表面顆粒。圖1為現有技術中的晶片擦洗機的結構示意圖；如圖1所示，晶片擦洗機的基體10上一般設置有擦洗倉11，基體10頂部對應于擦洗倉11前后分別形成進料臺12和下料臺13，擦洗倉11內設置有機械手和噴水裝置。當需要進行晶片清潔時，可以在進料臺12上放置裝有晶片的晶片架，在下料臺13上放置一未放置晶片的晶片架，然后啟動晶片擦洗機，使擦洗倉11內的機械手將進料臺12上晶片架內的晶片取下、并移至擦洗倉11內，在擦洗倉11內，噴水裝置對晶片噴水、擦洗后，由機械手將晶片移出至下料臺13上的晶片架中，至此，完成了一個晶片的擦洗過程。后續，重復上述過程對進料臺12上的晶片架中的晶片一一擦洗并最終完全轉移至下料臺13上的晶片架中。

雖然現有技術中的晶片擦洗機可以進行擦洗、減少顆粒，但是，擦洗倉前、后的上料臺和下料臺均處于開放環境中，會導致晶片架中晶片的顆粒增加尤其位于頂層的晶片會附著較多顆粒，引發晶片顆粒量超標，影響擦洗后的晶片質量。

實用新型內容

針對現有技術中的上述缺陷，本實用新型提供一種晶片擦洗機，減小附著在晶片上的顆粒量，從而提高晶片質量。

本實用新型提供一種晶片擦洗機，包括：基體，所述基體具有一水平的頂面，所述頂面上設置有擦洗倉，在所述擦洗倉的入口側和出口側分別形成進料臺和下料臺；所述擦洗倉外罩設有防護罩，且所述進料臺和下料臺均位于所述防護罩的內部；所述防護罩頂面上開設有第一通氣孔，所述防護罩底部與所述基體頂面之間形成第二通氣孔。

如上所述的晶片擦洗機，優選地，所述防護罩呈長方體狀，所述進料臺、擦洗倉和下料臺在所述防護罩內沿防護罩的長度方向順次排列。

如上所述的晶片擦洗機，優選地，所述防護罩的側壁底面形成有凹槽，所述凹槽與所述基體的水平頂面形成所述第二通氣孔。

如上所述的晶片擦洗機，優選地，所述第一通氣孔為至少兩個，每個所述第一通氣孔包括排列呈菱形的多個通孔，且相鄰的所述通孔之間通過通槽連通。

如上所述的晶片擦洗機，優選地，所述防護罩頂部還設置有用于濾去外部顆粒的過濾裝置。

如上所述的晶片擦洗機，優選地，所述基體的頂面上并排設置有至少兩個擦洗倉，每個所述擦洗倉的前、后兩側分別形成所述進料臺和下料臺；所述防護罩與所述擦洗倉數量相同，且每個所述擦洗倉及對應的所述進料臺和下料臺位于同一所述防護罩內。

如上所述的晶片擦洗機，優選地，在所述防護罩內、且在所述擦洗倉入口側和出口側分別設置有一晶片架，兩個所述晶片架的晶片抽出口相對、且分別朝擦洗倉設置。

如上所述的晶片擦洗機，優選地，所述晶片架內插設有用于擋住下方的晶片的擋片。

本實用新型提供的晶片擦洗機，通過在擦洗倉及前、后進料臺和下料臺上方設置有防護罩，在有效防止外界雜質顆粒進入到晶片擦洗環境中的同時，還能利用由頂部進入防護罩、底部流出的氣體帶走內部的顆粒，有效減小了內部顆粒量，進而減小了擦洗后殘存在晶片表面的顆粒量，大大提高了晶片擦洗質量。

附圖說明

圖1為現有技術中的晶片擦洗機的結構示意圖；

圖2為本實用新型晶片擦洗機實施例的結構示意圖；

圖3為圖2的俯視圖；

圖4為圖3中A向視圖；

圖5為圖4中Ⅰ處的放大圖；

圖6為圖2中晶片架的結構示意圖。

具體實施方式

圖2為本實用新型晶片擦洗機實施例的結構示意圖；圖3為圖2的俯視圖；請參照圖2和圖3，本實施例提供一種晶片擦洗機，包括：基體20，基體20具有一水平的頂面，頂面上設置有擦洗倉，在擦洗倉的入口側和出口側分別形成進料臺和下料臺；該擦洗倉外罩設有防護罩，且上述進料臺和下料臺均位于防護罩3的內部，且防護罩3頂面上開設有第一通氣孔31，防護罩3底部與基體10頂面之間形成第二通氣孔32。