[實用新型]鋰電池保護(hù)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420034437.2 | 申請日： | 2014-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN203722213U | 公開（公告）日： | 2014-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙亮;陳學(xué)力;邱碧剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市中航三鑫光伏工程有限公司 |
| 主分類號： | H02H7/18 | 分類號： | H02H7/18 |
| 代理公司： | 深圳市精英專利事務(wù)所 44242 | 代理人： | 李新林 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鋰電池 保護(hù) 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種保護(hù)電路，尤其是一種鋰電池保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
為防止鋰電池在充電過程中過充或者在放電過程中過放，以及短路時引起的電池工作效率低下等問題，需要給鋰電池加上一個保護(hù)電路。現(xiàn)在的鋰電池常用的保護(hù)方法是在鋰電池的兩管腳連接DW01芯片，通過DW01芯片能夠有效的控制鋰電池過充或者過放。可是當(dāng)鋰電池在充電時與外部電源接反了，容易引起DW01芯片燒壞。
發(fā)明內(nèi)容：
本實用新型的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種鋰電池保護(hù)電路。
本實用新型的技術(shù)方案：
一種鋰電池保護(hù)電路，包括充電端P+、充電端P-、二極管D1、鋰離子保護(hù)芯片、MOS晶體管Q1和MOS晶體管Q2，鋰離子保護(hù)芯片的VDD管腳通過電阻R1與鋰電池的正極相連，充電端P+與鋰電池的正極相連，鋰離子保護(hù)芯片的VDD管腳通過電容C1與鋰電池的負(fù)極相連，鋰離子保護(hù)芯片的DOUT管腳與MOS晶體管Q1的柵極相連，MOS晶體管Q1的漏極與鋰電池的負(fù)極相連，MOS晶體管Q1的源極與MOS晶體管Q2的漏極相連，MOS晶體管Q2的柵極與鋰離子保護(hù)芯片的COUT管腳相連，MOS晶體管Q2的源極與充電端P-相連，鋰離子保護(hù)芯片的V-管腳通過電阻R2與充電端P-相連，鋰離子保護(hù)芯片的V-與二極管D1的正極相連，二極管D1的負(fù)極與充電端P+相連。
其中，鋰離子保護(hù)芯片的COUT管腳與MOS晶體管Q2的柵極間設(shè)有二極管D2，且鋰離子保護(hù)芯片的COUT管腳與二極管D2的正極相連，MOS晶體管Q2的柵極與二極管D2的負(fù)極相連。
其中，MOS晶體管Q2的柵極與源極之間設(shè)有電阻R3。
其中，電阻R3上并聯(lián)有電容C2。
其中，鋰離子保護(hù)芯片為DW01。
其中，MOS晶體管Q1和MOS晶體管Q2集成在一個芯片內(nèi)，芯片為CEG8205。
本實用新型的有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)的鋰電池保護(hù)電路相比，增加了對鋰電池保護(hù)電路的芯片的保護(hù)，通過在鋰電池保護(hù)電路的芯片的V-管腳增加二極管D1，在COUT管腳增加二極管D2，防止鋰電池在反向充電或在放電時對芯片的燒壞。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例一的電路圖；
圖2為本實用新型實施例二的電路圖。
具體實施方式：
為闡述本實用新型的思想及目的，下面將結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步的說明。
實施例一，如圖1所示，本實用新型的一種鋰電池保護(hù)電路，包括充電端P+、充電端P-、二極管D1、鋰離子保護(hù)芯片、MOS晶體管Q1和MOS晶體管Q2，鋰離子保護(hù)芯片的VDD管腳通過電阻R1與鋰電池的正極相連，充電端P+與鋰電池的正極相連，鋰離子保護(hù)芯片的VDD管腳通過電容C1與鋰電池的負(fù)極相連，鋰離子保護(hù)芯片的DOUT管腳與MOS晶體管Q1的柵極相連，MOS晶體管Q1的漏極與鋰電池的負(fù)極相連，MOS晶體管Q1的源極與MOS晶體管Q2的漏極相連，MOS晶體管Q2的柵極與鋰離子保護(hù)芯片的COUT管腳相連，MOS晶體管Q2的源極與充電端P-相連，鋰離子保護(hù)芯片的V-管腳通過電阻R2與充電端P-相連，鋰離子保護(hù)芯片的V-與二極管D1的正極相連，二極管D1的負(fù)極與充電端P+相連。在本實施例中，鋰離子保護(hù)芯片為DW01，MOS晶體管Q1和MOS晶體管Q2集成在一個芯片內(nèi)，芯片為CEG8205。
DW01的鋰離子保護(hù)芯片在保護(hù)鋰電池過程中，當(dāng)出現(xiàn)短路或者放電過流時，使得DOUT管腳控制MOS晶體管Q1斷開，這時在反向充電器的作用下可能使得V-管腳的電平高于VDD+0.3V，V-管腳內(nèi)部可能會被擊穿，造成保護(hù)芯片的損壞。為了防止這種情況的發(fā)生，在V-和P+之間接二極管D1，從而保證V-管腳的電平不高于VDD+0.3V，從而有效的保護(hù)了V-管腳。在加入D1后對鋰離子保護(hù)芯片的工作沒有影響。
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