[實用新型]一種用于卷繞式濺射三層介質膜的鍍膜裝置

有效

• 申請號: 201420031586.3
• 申請日: 2014-01-20
• 公開（公告）號: CN203653686U
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 金烈
• 申請（專利權）人: 深圳市金凱新瑞光電有限公司
• 主分類號: C23C14/42
• 分類號: C23C14/42;C23C14/56
• 代理公司: 深圳市惠邦知識產權代理事務所 44271
• 代理人: 滿群

技術領域

本新型涉及真空鍍膜設備，特指一種應用在卷繞式濺射三層介質膜的鍍膜裝置。

背景技術

在對陰極濺射成膜裝置中，卷繞式真空鍍膜設備以其可以連續生產而明顯的提高了成膜的效率，然而，現有的卷繞式真空鍍膜設備中對于各個用來濺射成膜陰極小室的安裝數量有限，各個陰極小室的濺射時間和濺射氣氛難以準確控制，成膜的穩定性差，大都只能生產一層或兩層介質膜，而無法連續濺射三層介質膜，因為三層介質膜中間的介質膜的濺射成膜時間較長，成膜氣氛與上下兩層介質膜的氣氛均不同，現有的卷繞式真空鍍膜設備同步轉動，單一的陰極小室的濺射成膜時間明顯不夠，各個陰極小室的氣氛也容易相互干涉；

另外，現有的卷繞式真空鍍膜設備往往需要和清潔裝置、加熱裝置、放卷和收卷機構配套使用形成生產線，這樣會造成設備多、占用產地大的問題；

有鑒于此，如何設計一種僅用單一的真空鍍膜設備和鍍膜方法就能連續濺射三層介質膜成為有待解決的技術問題。

發明內容

本新型的目的就是針對現有技術的不足之處而提供的一種應用在卷繞式濺射三層介質膜的鍍膜裝置。

為達到上述目的，本新型的技術方案是：?

一種用于卷繞式濺射三層介質膜的鍍膜裝置，包括有：冷輥、驅動冷輥的主電機、包覆住冷輥的真空腔、放卷機構、收卷機構和五個陰極小室，其中，放卷機構、收卷機構和五個陰極小室均內置于真空腔內，放卷機構通過原料薄膜繞過冷輥的圓周表面傳輸到收卷機構實現三者的同步聯動，所述真空腔包覆住冷輥的部分為圓柱形腔體，五個陰極小室間隔排列在所述圓柱形腔體的內壁上且向外伸凸形成腔室凸包，所述陰極小室包括有陰極靶體、冷卻水管、補氣機構、抽真空機構、氣氛隔離板，陰極靶體對應著冷輥上的原料薄膜設置在陰極小室內，冷卻水管分布在陰極小室的側壁，補氣機構由外部的補氣單元連通到對應的陰極小室內，抽真空機構由外部的抽真空機連通到陰極小室內，氣氛隔離板間隔設置在兩相鄰的陰極小室之間；所述五個陰極小室中的中間三個陰極小室結構相同均為雙靶陰極小室，雙靶陰極小室中的陰極靶體為兩個陰極濺射靶，五個陰極小室中的兩側的兩個陰極小室結構相同均為單靶陰極小室，單靶陰極小室的陰極靶體為一個陰極濺射靶。

所述真空腔內還設有離子源預處理機構，離子源預處理機構為兩個，分別設置在放卷機構與冷輥之間以及冷輥和收卷機構之間，離子源預處理機構包括有用來清洗的真空室，該真空室為凹型容腔，真空室上部的開口對應待清洗的原料薄膜；真空室的底部安裝有用來抽真空的真空機構，在真空室內固定設有絕緣支撐件，在絕緣支撐件上設有用來提供清潔氣體的布氣孔，在絕緣支撐件上還分別間隔設有兩個電極，兩個電極分別通過各自的電源線與外部的高壓中頻電源電連接。

所述真空腔內還設有用來對原料薄膜進行加熱的加熱裝置，加熱裝置為兩個，分別為設置在放卷機構的出口端前加熱裝置以及設置在收卷機構的進口端的后加熱裝置。

本發明還涉及一種用于卷繞式濺射三層介質膜的鍍膜方法，包括有以下步驟，

步驟一，對真空腔進行抽真空，放卷機構、冷輥、收卷機構三者同步轉動使原料薄膜從放卷機構卷繞過冷輥的圓周表面傳輸到收卷機構；

步驟二，原料薄膜在傳輸過程中，先通過前加熱裝置對原料薄膜進行預加熱，在經過離子源預處理機構對原料薄膜進行預處理，以清除基底表面異物，改善成膜質量，增加沉積層在基底上的附著力；

步驟三，經過前一個單靶陰極小室時在原料薄膜上濺射第一層介質膜，前一個單靶陰極小室內通過抽真空、補氣后形成用來濺射第一層介質膜的第一氣氛；

步驟四，經過三個雙靶陰極小室時在原料薄膜上連續濺射第二層介質膜，每個雙靶陰極小室內均通過抽真空、補氣后形成用來濺射第二層介質膜的第二氣氛；

步驟五，經過后一個單靶陰極小室時在原料薄膜上濺射第三層介質膜，后一個單靶陰極小室內通過抽真空、補氣后形成用來濺射第三層介質膜的第三氣氛；

步驟六，經過后一個離子源預處理機構對鍍膜后的原料薄膜進行預處理，在經過后加熱裝置對鍍膜后的原料薄膜進行加熱后通過收卷機構收卷。