[實(shí)用新型]基于氮化鎵材料的人體血糖測(cè)試芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420022740.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-01-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203798771U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柯志杰;郭文平;鄧群雄;黃慧詩(shī) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N27/414 | 分類號(hào): | G01N27/414 |
| 代理公司: | 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;劉海 |
| 地址: | 214192 江蘇省無(wú)錫*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 氮化 材料 人體 血糖 測(cè)試 芯片 | ||
1.一種基于氮化鎵材料的人體血糖測(cè)試芯片,包括襯底(1),其特征是:在所述襯底(1)的上表面生長(zhǎng)形成U型氮化鎵層(2),U型氮化鎵層(2)上表面生長(zhǎng)形成鋁鎵氮層(3),鋁鎵氮層(3)上表面生長(zhǎng)U型氮化鎵披覆層(4);所述U型氮化鎵披覆層(4)上設(shè)有源極(5)和漏極(6),源極(5)和漏極(6)與U型氮化鎵披覆層(4)形成歐姆接觸;所述源極(5)和漏極(6)相互分離,源極(5)和漏極(6)之間的間隙處為柵極(9),源極(5)和漏極(6)上分別沉積有源極打線電極(7)和漏極打線電極(8);在所述芯片上表面覆蓋絕緣層(10),絕緣層(10)覆蓋住芯片上表面除源極打線電極(7)、漏極打線電極(8)和柵極(9)以外的區(qū)域;在所述柵極(9)的表面涂布生物酶(11)。
2.如權(quán)利要求1所述的基于氮化鎵材料的人體血糖測(cè)試芯片,其特征是:在所述芯片的上表面,源極(5)、漏極(6)和柵極(9)區(qū)域以外的部分形成刻蝕溝槽,刻蝕溝槽由U型氮化鎵披覆層(4)的上表面延伸至U型氮化鎵層(2)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基于氮化鎵材料的人體血糖測(cè)試芯片,其特征是:所述襯底(1)采用藍(lán)寶石基板、硅基板、氮化鎵基板或者碳化硅基板中的一種。
4.如權(quán)利要求1或2所述的基于氮化鎵材料的人體血糖測(cè)試芯片,其特征是:所述鋁鎵氮層(3)的厚度≤100nm。
5.如權(quán)利要求1或2所述的基于氮化鎵材料的人體血糖測(cè)試芯片,其特征是:所述U型氮化鎵披覆層(4)的厚度≤50nm。
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