[實用新型]晶體管和半導體裝置

有效

• 申請號: 201420022346.7
• 申請日: 2014-01-15
• 公開（公告）號: CN203659869U
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: B·帕德瑪納伯翰;P·溫卡特拉曼;G·M·格利瓦納
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L23/552
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種晶體管，其特征在于包括：?

第一導電類型的半導體襯底，所述半導體襯底具有第一表面和第二表面；?

所述第一導電類型的第一半導體區域，其在所述半導體襯底的所述第一表面上；?

第二半導體區域，其形成在所述第一半導體區域內，其中所述第一半導體區域的第一部分下伏于所述第二半導體區域，所述第二半導體區域具有第二導電類型；?

柵極結構，其形成在從所述第二半導體區域延伸至所述第一半導體區域的所述第一部分中的開口中，其中所述開口將所述第二半導體區域分為第一載流電極區域和第二載流電極區域；?

所述柵極結構的柵極導體，其形成在所述開口內且上覆于所述第一半導體區域的所述第一部分，其中所述第一載流電極區域的第一側鄰近所述柵極導體的一側且與所述柵極導體橫向分隔，且所述第二載流電極區域鄰近所述柵極導體的另一側且與所述柵極導體橫向分隔；?

屏蔽導體，其上覆于所述柵極導體；和?

屏蔽絕緣體，其在所述柵極導體與所述屏蔽導體之間。?

2.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述柵極結構不具有下伏于所述柵極導體的屏蔽導體。?

3.根據權利要求1所述的晶體管，其還包括鄰近所述第一載流電極區域的相對側的另一個柵極結構，使得屏蔽導體鄰近所述第一載流?電極區域的每一側且與其分隔開。?

4.根據權利要求1所述的晶體管，其還包括所述柵極導體與所述第一半導體區域的所述第一部分之間的柵極絕緣體，其中所述晶體管的溝道區域在下伏于所述柵極導體的所述第一半導體區域中，使得電流在所述第一載流電極區域與所述第二載流電極區域之間的所述柵極結構下方橫向流動。?

5.一種半導體裝置，其特征在于包括：?

第一導電類型的半導體材料，其具有第一表面和第二表面；?

所述半導體材料的第一區域，其具有第二導電類型；?

柵極結構，其延伸至下伏于所述第一區域的所述半導體材料中，其中所述柵極結構使所述第一區域形成為第一載流電極區域和第二載流電極區域，且其中所述第一載流電極區域的摻雜濃度實質等于所述第二載流電極區域的摻雜濃度；?

所述柵極結構的柵極導體，其至少上覆于所述半導體材料的第一部分；?

所述柵極結構的柵極絕緣體，其具有定位在所述柵極導體與下伏于所述柵極導體的所述半導體材料的所述第一部分之間的所述柵極絕緣體的第一部分，其中所述半導體材料的所述第一部分被構造來形成所述半導體裝置的溝道區域；?

所述柵極結構的屏蔽導體，其上覆于所述柵極導體；?

屏蔽絕緣體，其具有定位在所述屏蔽導體與所述柵極導體之間的第一部分，所述屏蔽絕緣體具有定位在所述屏蔽導體與所述柵極絕緣體的第二部分之間的第二部分。?

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中所述柵極結構包括從?所述第一區域的表面延伸至所述半導體材料中的開口，其中所述柵極絕緣體定位在所述開口的底部上且所述柵極導體定位在所述開口內和所述柵極絕緣體上。?

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述柵極絕緣體的第二部分沿著所述開口的側壁定位并且鄰接所述屏蔽絕緣體，且其中所述屏蔽導體在所述開口內且上覆于所述柵極導體。?

8.一種半導體裝置，其特征在于包括：?

多層半導體材料，其具有第一導電類型的第一層，具有上覆于所述第一層的第二導電類型的第一區域，具有從所述第一區域的表面延伸至所述第一層中的多個開口，其中所述多個開口具有側壁；?

柵極絕緣體，其形成在所述多個開口的第一開口的側壁上；?

柵極導體材料，其在所述第一開口內，且其中所述多個開口將所述第一區域劃分為第一載流電極區域和第二載流電極區域；?

其中所述第一載流電極區域的摻雜濃度實質等于所述第二載流電極區域的摻雜濃度；?

所述柵極導體材料，其在所述第一開口中形成至柵極導體中，其中下伏于所述柵極導體的所述第一層的一部分形成所述半導體裝置的溝道區域；?

屏蔽絕緣體，其形成在所述第一開口內且上覆于所述柵極導體；?

屏蔽導體，其上覆于所述柵極導體；和?

源極導體，其在所述屏蔽導體的一部分上以形成所述屏蔽導體與所述第一層之間的電連接。?