[實用新型]包括用于產生流體射流的噴嘴的半導體絲鋸

有效

• 申請號: 201420007746.0
• 申請日: 2014-01-07
• 公開（公告）號: CN204160642U
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發明（設計）人: D·克里泰格尼;S·蘇比耶勒
• 申請（專利權）人: 應用材料瑞士有限責任公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種半導體絲鋸，包括：?

支持件(150)，所述支持件(150)用于保持半導體工件；?

絲線導向器(160)，所述絲線導向器(160)用于形成絲網(170)，所述絲網(170)用于鋸切所述工件；?

噴嘴(100)，所述噴嘴(100)用于產生流體射流(190)，所述流體射流(190)可引導到所述絲網(170)處，其特征在于：?

所述噴嘴(100)包括出口管(112)，所述出口管(112)具有寬度(202)和深度(203)，其中：?

所述出口管(112)的所述寬度(202)和長度(201)與所述出口管(112)的面積剖面(250)相符；其中：?

(a)所述出口管的所述深度和所述寬度的比率大于3.5；和/或?

(b)所述出口管(112)進一步包括多個表面部分(310)，所述表面部分(310)用于在切削液中提供剪切應力，其中，所述表面部分(310)設置在所述出口管(112)的所述面積剖面(250)的內部區域中。?

2.如權利要求1所述的半導體絲鋸，其特征在于：?

每一表面部分(310)沿著所述出口管(112)的流動方向(260)延伸。?

3.如權利要求1或2所述的半導體絲鋸，其特征在于：?

所述表面部分(310)包括沿著所述出口管(112)的流動方向(260)延伸的平坦表面。?

4.如權利要求1或2所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述表面部分(310)是配置以使得沿著所述表面部分(310)的最大面積部分的流動方向平行于所述出口管(112)的流動方向(260)。?

5.如權利要求1或2所述的半導體絲鋸，其特征在于：?

所述出口管的流動方向(260)是在所述出口管中的所述切削液的平均流動方向。?

6.如權利要求5所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述出口管的所述流動方向(260)均勻地分布在所述出口管內；以及所述出口管(112)的所述面積剖面(250)垂直于所述出口管(112)的所述流動方向。?

7.如權利要求1或2所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述表面部分(310)包括多個鰭片。?

8.如權利要求7所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述多個鰭片中的鰭片具有以下特征中的一個或多個特征：?

a)所述鰭片是均勻間隔的；?

b)所述鰭片彼此平行；?

c)所述鰭片是平坦的；以及，?

d)所述鰭片設置成波形、平行線、正弦形的或者三角形的剖面。?

9.如權利要求8所述的半導體絲鋸，其特征在于：當所述鰭片是均勻間隔的時候，所述鰭片的間距在1mm到20mm的范圍內。?

10.如權利要求9所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述鰭片的間距在2mm到8mm的范圍內。?

11.如權利要求1或2所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述噴嘴(100)進一步包括噴嘴入口(110)，所述噴嘴入口(110)用于將所述切削液接收進噴嘴主腔室(113)內。?

12.如權利要求11所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述噴嘴主腔室(113)直接通往所述出口管(112)。?

13.如權利要求1或2所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述噴嘴(100)是單一腔室噴嘴，用于將所述切削液引導到所述出口管(112)。?

14.如權利要求1或2所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述噴嘴(100)的主腔室?(113)沒有回旋通道。?

15.如權利要求1或2所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述噴嘴(100)沒有回旋通道。?

16.如權利要求1所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述出口管(112)包括擠壓件。?

17.如權利要求16所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述出口管(112)完全是所述擠壓件。?

18.如權利要求16所述的半導體絲鋸，其特征在于：所述出口管(112)主要是所述擠壓件。?