[發(fā)明專利]共聚物制劑、其制造方法以及包括其的產(chǎn)品

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410858491.3
• 申請日: 2014-12-30
• 公開（公告）號: CN104749876B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: P·D·胡斯塔德;P·特雷福納斯三世;樸鐘根
• 申請（專利權(quán)）人: 羅門哈斯電子材料有限公司;陶氏環(huán)球技術(shù)有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;C08F220/14;C08F220/30;C08F120/18;H01L21/027
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 王穎

1.一種方法，包括：

將墊組合物設(shè)置在半導(dǎo)體基底的表面上；其中所述墊組合物包括包含第一丙烯酸酯單元和第二單元的無規(guī)共聚物；其中所述共聚物不包括聚苯乙烯或聚環(huán)氧化物；

使所述無規(guī)共聚物交聯(lián)；

將刷狀回填組合物設(shè)置在所述基底上；以使所述刷狀回填組合物和所述墊組合物相互交替，其中所述刷狀回填組合物包括以下結(jié)構(gòu)：

在所述刷狀回填組合物和所述墊組合物上設(shè)置經(jīng)歷自組裝的嵌段共聚物，其中所述刷狀回填組合物的蝕刻特性類似于設(shè)置在其上的嵌段共聚物的至少一個組分的蝕刻特性；其中所述刷狀回填組合物的Ohnishi參數(shù)大于4，以及

對所述嵌段共聚物進行蝕刻，以在所述半導(dǎo)體基底中形成均勻間隔的溝道。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括將光刻膠設(shè)置在所述墊組合物上并蝕刻所述墊組合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中任一項所述的方法，其中所述第一丙烯酸酯單元源自具有由化學(xué)式(1)表示的結(jié)構(gòu)的單體的聚合：

其中R₁為氫或具有1至10個碳原子的烷基；或者所述第一丙烯酸酯單元源自具有由化學(xué)式(2)表示的結(jié)構(gòu)的單體的聚合：

其中R₁為氫或具有1至10個碳原子的烷基，并且R₂為C_1-10烷基、C_3-10環(huán)烷基或C_7-10芳烷基。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項所述的方法，其中所述第二單元源自甲基丙烯酸2-(1，2-二氫環(huán)丁烷苯-1-基氧基)乙酯的聚合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項所述的方法，其中所述墊組合物包括以下示出的經(jīng)歷交聯(lián)的結(jié)構(gòu)

6.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項所述的方法，其中所述第二單元源自化學(xué)式I-1至I-20和化學(xué)式M-1至M-27中示出的可交聯(lián)單體的聚合和/或交聯(lián)：

7.一種用于半導(dǎo)體制造的刷狀回填組合物，其包括：

墊組合物，其包含具有可以被反應(yīng)到半導(dǎo)體基底的官能團的聚丙烯酸烷基酯無規(guī)共聚物；其中所述刷狀回填共聚物被設(shè)置在墊組合物條之間；其中所述刷狀回填組合物和所述墊組合物被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基底上；其中所述刷狀回填組合物包括嵌段或無規(guī)共聚物，刷聚合物上的反應(yīng)性基團為烷氧基、羧基、巰基、酚基、羥基芳基、羥基雜芳基、芳基巰基、羥基烷基、伯羥基烷基、仲羥基烷基、叔羥基烷基、烷基巰基、羥基烯烴、三聚氰胺、甘脲、苯胍胺、環(huán)氧樹脂、脲或其組合；其中所述刷狀回填組合物的Ohnishi參數(shù)大于4，并且其中所述刷狀回填組合物的蝕刻特性類似于設(shè)置在其上的嵌段共聚物的至少一個組分的蝕刻特性。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的刷狀回填組合物，其中所述聚丙烯酸烷基酯包括源自甲基丙烯酸乙酯的聚合的單體單元。

9.根據(jù)權(quán)利要求7至8中任一項所述的刷狀回填組合物，其中所述聚丙烯酸烷基酯包括化學(xué)式(5)中示出的結(jié)構(gòu)：

其中n₃為75至125。