[發明專利]關于具有改善性能的射頻開關的器件和方法

有效

• 申請號: 201410858446.8
• 申請日: 2014-11-12
• 公開（公告）號: CN104639135B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: G·A·布林;A·B·喬希;C·馬斯
• 申請（專利權）人: 天工方案公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 于小寧

關于具有改善性能的射頻(RF)開關的器件和方法。在一些實施例中，開關器件可以包括第一端子和第二端子，以及多個開關元件，所述多個開關元件在所述第一端子和所述第二端子之間串聯連接以形成堆棧。所述開關元件可以具有參數的非均勻分布，所述參數的非均勻分布使得所述堆棧具有比對應于具有參數的基本均勻分布的類似堆棧的第二電壓處理能力大的一個或多個第一電壓處理能力、比對應于所述類似堆棧的第二導通電阻(Ron)值小的第一Ron值以及比對應于所述類似堆棧的第二線性性能更好的第一線性性能。

相關申請的交叉引用

本申請請求以下申請的優先權，2013年11月12日提交的名稱為RADIO-FREQUENCYDEVICES HAVING IMPROVED VOLTAGE HANDLING CAPABILITY(具有改善電壓處理能力的射頻器件)的美國臨時申請號61/902,808；2013年11月12日提交的名稱為RADIO-FREQUENCYDEVICES HAVING IMPROVED ON-RESISTANCE PERFORMANCE(具有改善導通電阻性能的射頻器件)的美國臨時申請號61/902,809；2013年11月12日提交的名稱為RADIO-FREQUENCYDEVICES HAVING IMPROVED LINEARITY PERFORMANCE(具有改善線性性能的射頻器件)的美國臨時申請號61/902,810；2014年11月5日提交的名稱為RADIO-FREQUENCY SWITCHINGDEVICES HAVING IMPROVED VOLTAGE HANDLING CAPABILITY(具有改善電壓處理能力的射頻開關器件)的美國申請號14/534,146；2014年11月5日提交的名稱為DEVICES ANDMETHODS RELATED TO RADIO-FREQUENCY SWITCHES HAVING IMPROVED ON-RESISTANCEPERFORMANCE(關于具有改善導通電阻性能的射頻開關的器件和方法)的美國申請號14/534148；以及2014年11月5日提交的名稱為IMPROVED LINEARITY PERFORMANCE FOR RADIO-FREQUENCY SWITCHES(用于射頻開關的改善線性性能)的美國申請號14/534,149，其每一個公開的內容通過引用而明確地整體結合于此。

技術領域

本公開總地涉及一種改善的射頻開關器件。

背景技術

在一些射頻(RF)應用中，開關一般布置在堆棧配置中以便于適當地處理功率。例如，可以使用更高的堆棧高度以允許RF開關來承受(withstand)更高的功率。

發明內容

根據根據一些實現方式，本公開涉及一種開關器件，所述開關器件包括第一端子和第二端子。所述開關器件進一步包括在第一端子和第二端子之間串聯連接以形成堆棧的多個開關元件。開關元件具有參數的非均勻分布。非均勻分布使得所述堆棧具有比對應于具有參數的基本均勻分布的類似堆棧的第二電壓處理能力大的第一電壓處理能力。

在一些實施例中，堆棧可以進一步具有第一導通電阻(Ron)值，所述第一導通電阻值小于對應于所述類似堆棧的第二Ron值。在一些實施例中，堆棧可以進一步具有比對應于所述類似堆棧的第二線性性能更好的第一線性性能。

在一些實施例中，多個開關元件中的每一個可以包括具有形成在有源區域上的源極、漏極和柵極的場效應晶體管(FET)。所述FET可以實現為絕緣體上硅(SOI)器件。

在一些實施例中，參數可以包括柵極的長度。FET可以實現為梳指配置器件，使得柵極包括多個矩形形狀的柵極梳指，其中在源極觸點的矩形形狀的源極梳指和漏極觸點的矩形形狀的漏極梳指之間實現每一個柵極梳指。

在一些實施例中，柵極長度的非均勻分布可以基于與FET相關聯的另一參數的非均勻分布。柵極長度的非均勻分布可以大致跟隨另一參數的非均勻分布。