[發明專利]涉及陶瓷基板上射頻裝置封裝的裝置和方法

有效

• 申請號: 201410858176.0
• 申請日: 2014-11-05
• 公開（公告）號: CN104617053B
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: A·J·洛比安科;H·E·陳;D·S·懷特菲爾德
• 申請（專利權）人: 天工方案公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L23/485;H01L21/58;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種封裝電子裝置，包括：

陶瓷基板，配置成可接收一個或多個元件，所述陶瓷基板包括上表面、邊緣和與接地平面電接觸的導電層；

倒裝芯片裸芯，具有集成電路，并且安裝在所述陶瓷基板的上表面上；

保形導電涂層，直接實施于安裝的倒裝芯片裸芯上，并且實施在所述陶瓷基板的所述上表面的暴露部分上，延伸到所述陶瓷基板的邊緣附近以提供屏蔽功能；

所述保形導電涂層和所述導電層之間的電連接，所述電連接包括從所述陶瓷基板的上表面的暴露部分延伸并延伸穿過所述陶瓷基板的導電通孔，所述導電層包括沿著所述陶瓷基板的周界的多個導電帶，所述電連接至少部分地與所述多個導電帶中的導電帶重疊；以及

在所述倒裝芯片裸芯和所述陶瓷基板之間實施的底層填充部，所述底層填充部包括邊緣輪廓，所述邊緣輪廓配置成提供所述倒裝芯片裸芯的側壁和所述陶瓷基板的上表面之間的傾斜過渡。

2.如權利要求1所述的封裝電子裝置，其特征在于所述底層填充部的傾斜過渡輪廓配置成利于提高所述倒裝芯片裸芯和所述陶瓷基板的上表面之間的所述保形導電涂層的覆蓋率。

3.如權利要求1所述的封裝電子裝置，其特征在于所述集成電路包括射頻開關電路。

4.如權利要求3所述的封裝電子裝置，其特征在于所述倒裝芯片裸芯是絕緣襯底上外延硅(SOI)裸芯。

5.如權利要求1所述的封裝電子裝置，其特征在于所述保形導電涂層包括金屬涂料層或通過沉積形成的導電層。

6.如權利要求1所述的封裝電子裝置，其特征在于所述陶瓷基板包括低溫共燒陶瓷(LTCC)基板。

7.如權利要求1所述的封裝電子裝置，其特征在于還包括在所述陶瓷基板的底面上實施的多個接觸焊盤，所述接觸焊盤配置成使所述封裝電子裝置安裝在電路板上。

8.如權利要求1所述的封裝電子裝置，其特征在于所述保形導電涂層直接在所述倒裝芯片裸芯上導致所述封裝電子裝置為低輪廓屏蔽裝置。

9.一種射頻模塊，配置成處理射頻信號，所述射頻模塊包括：

配置成接收一個或多個元件的陶瓷基板，所述陶瓷基板包括上表面、邊緣和與接地平面電接觸的導電層；

裸芯，具有集成電路，并且安裝在所述陶瓷基板的上表面上；

保形導電涂層，直接實施于安裝的裸芯上，并且實施在所述陶瓷基板的所述上表面的暴露部分上，延伸到所述陶瓷基板的邊緣附近以提供屏蔽功能；

所述保形導電涂層和所述導電層之間的電連接，所述電連接包括從所述陶瓷基板的上表面的暴露部分延伸并延伸穿過所述陶瓷基板的導電通孔，所述導電層包括沿著所述陶瓷基板的周界的多個導電帶，所述電連接至少部分地與所述多個導電帶中的導電帶重疊；以及

在所述裸芯和所述陶瓷基板之間實施的底層填充部，所述底層填充部包括邊緣輪廓，所述邊緣輪廓配置成提供所述裸芯的側壁和所述陶瓷基板的上表面之間的傾斜過渡。