[發明專利]制造腔向下制作載體的系統和方法

在審

• 申請號: 201410858126.2
• 申請日: 2014-12-05
• 公開（公告）號: CN104701190A
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 張家驊
• 申請（專利權）人: 毅寶力科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種制作容腔向下的BGA載體的方法，該載體具有頂表面和底表面，該方法包括：

組合導電部分和模制的介電部分，所述介電部分具有相交于所述頂表面的內表面，所述內表面形成用于接收管芯的腔；

選擇性蝕刻所述導電部分的一部分；以及

施加抗焊劑至所述導電部分的頂表面的一部分。

2.根據權利要求1的方法，其中所述介電部分由聚合模制化合物模制。

3.根據權利要求2的方法，其中所述聚合模制化合物包括接合材料。

4.根據權利要求2的方法，其中所述接合材料包含填充有無機填料的環氧樹脂。

5.根據權利要求4的方法，其中所述無機填料包括二氧化硅或碳化硅中的至少一個或塑料化合物。

6.根據權利要求1的方法，其中所述內表面與所述頂表面正交相交。

7.根據權利要求1的方法，其中所述內表面與所述頂表面非正交相交。

8.根據權利要求1的方法，其中所述腔的形狀是正方形，長方形，三角形，圓形或不規則形狀之一。

9.根據權利要求1的方法，還包括：選擇性地電鍍所述頂表面處的所述導電部分。

10.根據權利要求9的方法，其中所述選擇性地電鍍被成形以形成接合指和BGA焊盤。

11.根據權利要求9的方法，其中所述選擇性地電鍍包括：施加光成像電鍍阻抗劑至所述頂表面，將所述光成像電鍍阻抗劑曝光成圖像圖案，顯影所述阻抗劑，在所述電鍍阻抗劑未被曝光的部分沉積金屬，以及剝離所述電鍍阻抗劑。

12.根據權利要求11的方法，其中所述金屬是Ag，Ni/Au或Pd中的一個。

13.根據權利要求9的方法，其中選擇性地蝕刻包括：施加光成像抗蝕劑至所述頂表面，將光成像抗蝕劑曝光成圖像圖案，顯影所述抗蝕劑，以及剝離所述抗蝕劑。

14.根據權利要求1的方法，其中根據預定形狀選擇性地執行施加抗焊劑至所述頂表面。

15.根據權利要求14的方法，其中所述預定形狀使得形成BGA焊盤和接合指的所述導電部分的區域在所述頂表面處保持暴露。

16.根據權利要求15所述的方法，還包括施加粘合層至所述底表面的暴露部分。

17.根據權利要求16所述的方法，其中所述粘合層包括熱固性環氧樹脂或膜之一。

18.根據權利要求16所述的方法，進一步包括施加散熱器至所述粘合層的底表面。

19.根據權利要求16所述的方法，其中在施加抗焊劑之后，將一側具有粘合劑的臨時帶層壓至所述底表面上。

20.根據權利要求19所述的方法，進一步包括利用粘合劑或環氧樹脂之一將半導體管芯附接到所述臨時帶的頂表面。

21.根據權利要求20所述的方法，進一步包括引線接合，以通過接合線將管芯上的接合焊盤連接至所述接合指。

22.根據權利要求21所述的方法，進一步包括使用密封劑封裝所述管芯、所述接合線以及接合指的至少一部分。

23.根據權利要求22所述的方法，進一步包括使用焊劑將焊球附接到所述BGA焊盤隨后回流，并剝離所述臨時帶。

24.根據權利要求23所述的方法，進一步包括使用熱界面材料將熱沉附接到所述頂表面。

25.一種根據權利要求1的方法制作的容腔向下的BGA載體。