[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法及顯示裝置

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• 申請日: 2014-12-29
• 公開（公告）號: CN104597670A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發(fā)明（設計）人: 丁洪;杜凌霄;姚綺君
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333;G02F1/1362
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上設置有多條柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個像素單元，所述像素單元包括像素電極和公共電極；

所述公共電極在所述數(shù)據(jù)線延伸方向上設置有第一刻縫，所述第一刻縫與所述像素電極至少部分交疊；

所述柵極線上方設置有開口區(qū)，所述開口區(qū)與所述第一刻縫至少部分交疊；

所述數(shù)據(jù)線上方且沿所述數(shù)據(jù)線延伸方向設置有屏蔽電極和與所述屏蔽電極電連接的屏蔽支電極；

其中，所述屏蔽電極在所述數(shù)據(jù)線上的投影與所述數(shù)據(jù)線至少部分交疊；所述屏蔽支電極設置在所述開口區(qū)，且所述屏蔽支電極在所述柵極線上的投影與所述柵極線至少部分交疊。

2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述屏蔽電極和屏蔽支電極與所述公共電極之間設置有第二絕緣層，所述第二絕緣層上設置有第一通孔，所述公共電極通過所述第一通孔與所述屏蔽支電極或所述屏蔽電極電連接。

3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述屏蔽電極與所述數(shù)據(jù)線之間設置有所述像素電極。

4.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極位于所述像素電極與所述屏蔽電極之間。

5.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極在所述柵極線延伸方向上設置有第二刻縫。

6.一種顯示裝置，包括如權利要求1-5所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，

在所述襯底上形成多條柵極線和數(shù)據(jù)線，所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定出多個像素單元；所述像素單元包括公共電極和像素電極；

在所述數(shù)據(jù)線上方形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成屏蔽電極和屏蔽支電極，所述屏蔽電極和屏蔽支電極電連接；

在所述屏蔽電極和屏蔽支電極上形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上形成公共電極；所述公共電極在所述數(shù)據(jù)線延伸方向上設置有第一刻縫，所述第一刻縫與所述像素電極部分交疊；所述柵極線上設置有開口區(qū)，所述開口區(qū)與所述第一刻縫部分交疊；

所述屏蔽電極在所述數(shù)據(jù)線上的投影與所述數(shù)據(jù)線交疊；所述屏蔽支電極設置在所述開口區(qū)，所述屏蔽支電極在所述柵極線上的投影與所述柵極線部分交疊。

8.根據(jù)權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層上形成有第一通孔，所述公共電極通過所述第一通孔與所述屏蔽支電極電連接。

9.根據(jù)權利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)線上方形成第一絕緣層的步驟前還包括：在所述襯底上形成與所述柵極線電連接的柵極，在所述柵極上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成有源層，在所述有源層上形成源極、漏極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層，在所述源極、所述漏極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層上形成所述像素電極，所述像素電極與所述漏極電連接，在所述像素電極上形成所述第一絕緣層。

10.根據(jù)權利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)線上方形成第一絕緣層的步驟前還包括：在所述襯底上形成與所述柵極線電連接的柵極，在所述柵極上形成柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成有源層，在所述有源層上形成源極、漏極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層，在所述源極、所述漏極和所述數(shù)據(jù)線所在的金屬層上形成所述第一絕緣層。

11.根據(jù)權利要求10所述的制作方法，其特征在于，在所述第二絕緣層上形成公共電極的步驟之后還包括：在所述公共電極層上形成第三絕緣層，在所述第三絕緣層上形成所述像素電極；其中，在所述第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層上形成第二通孔，所述像素電極通過所述第二通孔與所述漏極電連接。