[發明專利]一種電鍍填通孔的方法

在審

• 申請號: 201410856744.3
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN104532318A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 崔正丹;謝添華;李志東
• 申請（專利權）人: 廣州興森快捷電路科技有限公司;宜興硅谷電子科技有限公司;深圳市興森快捷電路科技股份有限公司
• 主分類號: C25D7/00
• 分類號: C25D7/00;C25D5/00;C25D5/08
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種電鍍填通孔的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)采用電鍍裝置，電鍍裝置包括電鍍槽、電鍍溶液、電源、陽極，電鍍槽中裝有電鍍溶液，陽極連接電源的正極，陽極置于電鍍槽的電鍍溶液中；

2)將帶有通孔的待鍍件與所述電源的負極連接，并置于電鍍槽的電鍍溶液中；

3)按控制條件控制電源工作，進行T時間的連續電鍍，T＞0；所述控制條件為：

在初始階段T1時間內，待鍍件的電流密度J1為2-3ASD，30％≤T1/T≤50％，

在中期階段T2時間內，待鍍件的電流密度J2為0.5-1.5ASD，20％≤T2/T≤40％.

在末期階段T3時間內，待鍍件的電流密度J3為1.0-2.0ASD，T3＝T-T1-T2，J1＞J3＞J2。

2.如權利要求1所述的一種電鍍填通孔的方法，其特征在于，

步驟1)中的電鍍裝置還包括與電鍍槽連接的噴流裝置，噴流裝置設有位于電鍍槽內的噴嘴；

步驟3)具體是，按控制條件控制電源工作和控制噴流裝置進行側面噴流，進行T時間的連續電鍍；所述控制條件為：

在初始階段T1時間內，待鍍件的電流密度J1為2-3ASD，噴嘴流量q1為1.5-2L/min，30％≤T1/T≤50％；

在中期階段T2時間內，待鍍件的電流密度J2為0.5-1.5ASD，噴嘴流量q2為3-5L/min，20％≤T2/T≤40％；

在末期階段T3時間內，待鍍件的電流密度J3為1.0-2.0ASD，噴嘴流量q3為2-3L/min，T3＝T-T1-T2，J1＞J3＞J2，q2＞q3＞q1。