[發(fā)明專利]基于片上電感的寬帶低噪聲放大器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410856705.3 | 申請日： | 2014-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN104506146A | 公開（公告）日： | 2015-04-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李琛 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司;成都微光集電科技有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/26 | 分類號： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 電感 寬帶 低噪聲放大器 | ||
1.一種基于片上電感的低噪聲放大器，其包括輸入端、輸入阻抗匹配電路、放大電路和輸出端，其特征在于，所述輸入阻抗匹配電路包含：
第一電感，與所述低噪聲放大器的輸入端相連；
第一NMOS晶體管，其柵極連接所述第一電感；
第一電容，連接于所述第一NMOS晶體管的柵極與源極之間；以及
并聯(lián)的第二電感與第二電容，其一端與所述第一NMOS晶體管的源極相連，另一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述放大電路包括共源共柵結(jié)構(gòu)的所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管；所述第二NMOS晶體管的漏極連接所述低噪聲放大器的輸出端，同時(shí)通過負(fù)載連接電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述放大電路還包括并聯(lián)的第三電感和第三電容，所述并聯(lián)的第三電感和第三電容連接于所述第一NMOS晶體管和所述第二NMOS晶體管之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述負(fù)載為并聯(lián)的第四電感和第四電容。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低噪聲放大器，其特征在于，所述低噪聲放大器的工作頻率為大于等于1180MHz。
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