[發(fā)明專利]曲率漸變的彎曲波導(dǎo)量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410854195.6
• 申請(qǐng)日: 2014-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN104485403A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王飛飛;吳艷華;胡發(fā)杰;金鵬;王占國
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種彎曲波導(dǎo)量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，包括：

襯底；

位于襯底上的量子點(diǎn)增益介質(zhì)；

波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，包括直段部分和彎曲部分，彎曲部分的曲線為橢圓的一部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，其特征在于，彎曲部分的公式為y=e-e1-z2f2.]]>

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，其特征在于，所述彎曲部分的曲率半徑是漸變的。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，其特征在于，所述波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的最終偏離角與出光面法線的夾角為7°，彎曲部分的長度為1mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，其特征在于，其外延結(jié)構(gòu)依次為襯底、緩沖層、下包覆層、有源區(qū)、上包覆層、歐姆接觸層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，其特征在于，所述有源區(qū)為砷化銦/砷化鎵量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。

7.一種彎曲波導(dǎo)量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管的制備方法，包括：

步驟S1：在外延片上涂覆一層光刻膠；

步驟S2：采用光刻方法刻蝕出波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，包括直段部分和彎曲部分，彎曲部分的曲線的公式為y=e-e1-z2f2;]]>

步驟S3：采用腐蝕的方法將波導(dǎo)結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移到外延片上；

步驟S4：將基片上的光刻膠去除；

步驟S5：在基片上生長一層二氧化硅絕緣層；

步驟S6：在基片上再次涂覆光刻膠；

步驟S7：在彎曲波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上開出電注入窗口；

步驟S8：去除光刻膠；

步驟S9：在基片的背面和正面生長金屬電極；

步驟S10：退火完成合金化。

8.一種彎曲波導(dǎo)量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，包括：

襯底；

位于襯底上的量子點(diǎn)增益介質(zhì)；

波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，包括直段部分和彎曲部分，彎曲部分的曲線為雙曲線的一部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，其特征在于，彎曲部分的公式為y=c1+z2d2-c.]]>

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，其特征在于，彎曲部分的曲率半徑是漸變的。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，其特征在于，所述波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的最終偏離角與出光面法線的夾角為7°，彎曲部分的長度為1mm。

12.根據(jù)權(quán)利要求8的量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，其特征在于，其外延結(jié)構(gòu)依次為襯底、緩沖層、下包覆層、有源區(qū)、上包覆層、歐姆接觸層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的量子點(diǎn)超輻射發(fā)光管，其特征在于，所述有源區(qū)為砷化銦/砷化鎵量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。