[發明專利]一種低硼磷冶金級硅的制備方法在審
| 申請號： | 201410852837.9 | 申請日： | 2014-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN104593828A | 公開（公告）日： | 2015-05-06 |
| 發明（設計）人： | 石忠寧;李亮星;劉愛民;何文才;謝開鈺;關蘋蘋;吳曉衛;徐君莉;胡憲偉;高炳亮 | 申請（專利權）人： | 東北大學 |
| 主分類號： | C25C3/36 | 分類號： | C25C3/36;C01B33/037 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 110819 遼寧*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低硼磷 冶金 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種低硼磷冶金級硅的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1、按質量比為0.6～1.3取鐵和鎳制備Fe-Ni合金惰性電極；
S2、取適量冰晶石熔鹽，按質量百分比加入Al2O3?1～3％、CaO?1～4％、NaCl1～5％、SiO2?2.5～8.0％混合均勻后，按質量百分比加入5％的鋁塊；
S3、以步驟S1制備所得的Fe-Ni合金惰性電極作為陽極，以金屬鋁為陰極，電解步驟S2所得的冰晶石熔鹽；
S4、通入電流后，在陰極析出硅，硅進入鋁液后形成鋁硅合金；
S5、將步驟S4所得的液態鋁硅合金吸出，進行定向凝固后，共晶，鋁硅合金中的硅析出。
2.根據權利要求1所述的一種低硼磷冶金級硅的制備方法，其特征在于，所述的電解的溫度為950～970℃。
3.根據權利要求1所述的一種低硼磷冶金級硅的制備方法，其特征在于，所述的陽極電流密度為0.4A/cm2～1.3A/cm2。
4.根據權利要求1所述的一種低硼磷冶金級硅的制備方法，其特征在于，所述的電解的時間為4～8h。
5.根據權利要求1所述的一種低硼磷冶金級硅的制備方法，其特征在于，所述的冰晶石分子比為2.2～2.4。
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