[發明專利]基于弧狀枝節加載的多邊形缺陷地結構超寬帶天線

有效

• 申請號: 201410852694.1
• 申請日: 2015-02-09
• 公開（公告）號: CN104617393B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發明（設計）人: 游佰強;李文卓;周建華;遲語寒;薛團輝;李杰
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01Q5/25
• 分類號: H01Q5/25;H01Q5/335
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙)35200
• 代理人: 馬應森

1.基于弧狀枝節加載的多邊形缺陷地結構超寬帶天線，其特征在于設有介質基板，介質基板上下表面分別敷有良導體層，上表面良導體層設有兩個弧狀枝節加載的寬匹配微帶饋線結構，所述弧狀枝節加載結構為寬度漸變的對稱圓弧結構，所述微帶饋線結構頂端形狀設計為圓狀；下表面良導體層由多邊形缺陷地結構和偏心的正多邊形輻射貼片組成，所述多邊形缺陷地結構是在不規則金屬面上挖去一個多邊形寬縫，多邊形寬縫的邊數為3～9，所述不規則金屬面由矩形和半圓形組成；所述正多邊形輻射貼片為在所述多邊形寬縫內嵌有的一個偏心的正多邊形，偏心的正多邊形的邊數為3～9。

2.如權利要求1所述基于弧狀枝節加載的多邊形缺陷地結構超寬帶天線，其特征在于所述介質基板采用陶瓷雙面覆銅基板、陶瓷雙面覆銀基板、環氧復合板雙面覆銅基板或環氧復合板雙面覆銀基板。

3.如權利要求1所述基于弧狀枝節加載的多邊形缺陷地結構超寬帶天線，其特征在于所述介質基板的相對介電常數為2～8。

4.如權利要求1所述基于弧狀枝節加載的多邊形缺陷地結構超寬帶天線，其特征在于所述上表面良導體層是設有兩個弧狀枝節加載的微帶饋線結構，所述微帶饋線結構頂端形狀可為圓狀，頂端小圓半徑為1～4mm，饋線長為9～14mm，寬為2～4mm。

5.如權利要求1所述基于弧狀枝節加載的多邊形缺陷地結構超寬帶天線，其特征在于所述上表面良導體層的弧狀枝節加載結構為寬度漸變的對稱圓弧結構，所述圓弧結構的外圓弧半徑為2～7mm，內圓弧半徑為1～6mm，圓弧開口寬為4～9mm。

6.如權利要求1所述基于弧狀枝節加載的多邊形缺陷地結構超寬帶天線，其特征在于所述多邊形寬縫左右對稱，多邊形寬縫上下兩對邊長度為9～14mm，多邊形寬縫左上邊和右上邊長度為8～13mm，多邊形寬縫左下邊和右下邊長度為11～16mm。

7.如權利要求1所述基于弧狀枝節加載的多邊形缺陷地結構超寬帶天線，其特征在于所述多邊形缺陷地結構下邊緣到介質基板下邊緣的距離為1～5mm。

8.如權利要求1所述基于弧狀枝節加載的多邊形缺陷地結構超寬帶天線，其特征在于所述不規則金屬面由矩形和半圓形組成，半圓的半徑為13～18mm，矩形長為28～33mm，寬為13～18mm。

9.如權利要求1所述基于弧狀枝節加載的多邊形缺陷地結構超寬帶天線，其特征在于所述偏心的正多邊形的邊長為4～9mm。

10.如權利要求1所述基于弧狀枝節加載的多邊形缺陷地結構超寬帶天線，其特征在于所述正多邊形輻射貼片下邊緣到缺陷結構下邊緣間距為0.25～1.75mm。