[發明專利]基于超材料的光憶阻片在審
| 申請號： | 201410852437.8 | 申請日： | 2014-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN104681719A | 公開（公告）日： | 2015-06-03 |
| 發明（設計）人： | 周濟;吳紅亞 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 關暢 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 材料 光憶阻片 | ||
1.一種片狀的憶阻器，包括光憶阻和填充介質；
其中，所述光憶阻位于所述填充介質內；
所述光憶阻的個數至少為一個。
2.根據權利要求1所述的憶阻器，其特征在于：所述片狀的憶阻器由所述光憶阻和填充介質組成。
3.根據權利要求1或2所述的憶阻器，其特征在于：構成所述光憶阻的材料為陶瓷顆粒、導電金屬材料或非正定介質；
其中，所述陶瓷顆粒具體為CaTiO3、SrTiO3或BaTiO3；
所述導電金屬材料具體為金、銀或銅；
所述非正定介質具體為石墨、二硫化鉬或磷酸鈦氧鉀；
構成所述填充介質的材料為對所述憶阻器的使用頻段透明的材料。
4.根據權利要求3所述的憶阻器，其特征在于：所述陶瓷顆粒的粒徑為1μm-2μm，介電常數為1-10000，介電損耗角正切低于0.1。
5.根據權利要求1-4中任一所述的憶阻器，其特征在于：構成所述光憶阻的材料為陶瓷顆粒，所述光憶阻的形狀為立方體或球體；
構成所述光憶阻的材料為導電金屬材料，所述光憶阻為導電金屬材料本體，且所述本體具有一缺口。
6.根據權利要求5所述的憶阻器，其特征在于：所述本體為方形、圓形或Ω形。
7.根據權利要求5所述的憶阻器，其特征在于：形狀為立方體或球體的所述光憶阻是按照包括如下步驟的方法制得：將CaTiO3、SrTiO3或BaTiO3于1400℃-1450℃燒結后冷卻至室溫而得。
8.根據權利要求1-7中任一所述的憶阻器，其特征在于：所述光憶阻的個數不少于一個且構成所述光憶阻的材料為所述陶瓷顆粒或所述非正定介質時，所述光憶阻在所述波導內周期性排列，且相鄰兩光憶阻之間的間距相同。
9.權利要求1-8中任一所述憶阻器在制備光學器件中的應用。
10.含有權利要求1-8中任一所述憶阻器的光學器件。
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