[發明專利]一種輕摻雜漏極區的制作方法、薄膜晶體管及陣列基板

在審

• 申請號: 201410851974.0
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN104538455A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 徐瓊
• 申請（專利權）人: 上海天馬有機發光顯示技術有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉松

1.一種輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成多晶硅層、柵絕緣層、柵金屬層；

對柵金屬層進行圖案化，形成柵電極；

對柵絕緣層進行刻蝕，形成臺階結構，其中，所述柵電極的寬度小于所述臺階結構的寬度，且所述臺階結構的邊緣未被所述柵電極覆蓋；

利用所述柵電極和具有所述臺階結構的所述柵絕緣層作為掩膜，采用摻雜工藝對所述多晶硅層進行摻雜，形成輕摻雜漏極區和重摻雜漏極區。

2.如權利要求1所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，所述對柵金屬層進行圖案化，形成柵電極，包括：

在所述柵金屬層上涂覆光刻膠，利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成初步柵電極圖形；

利用第一刻蝕工藝對所述柵金屬層進行刻蝕，形成初步柵電極；

保留所述初步柵電極表面的光刻膠，利用第二刻蝕工藝對所述初步柵電極進行刻蝕，形成柵電極。

3.如權利要求1所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，所述對柵金屬層進行圖案化，形成柵電極，包括：

在所述柵金屬層上涂覆光刻膠，利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成初步柵電極圖形；

利用第二刻蝕工藝對所述柵金屬層進行刻蝕，形成柵電極。

4.如權利要求2所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，所述對柵絕緣層進行刻蝕，形成臺階結構，其中，所述柵電極的寬度小于所述臺階結構的寬度，且所述臺階結構的邊緣未被所述柵電極覆蓋，包括：

在所述利用第一刻蝕工藝對所述柵金屬層進行刻蝕，形成所述初步柵電極之后，利用所述第一刻蝕工藝對所述柵絕緣層進行第一次刻蝕，形成初步臺階結構。

5.如權利要求4所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，在所述形成柵電極之后，還包括：

利用所述第一刻蝕工藝對所述柵絕緣層進行第二次刻蝕，形成最終臺階結構。

6.如權利要求5所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，所述第一次刻蝕的刻蝕速率大于所述第二次刻蝕的刻蝕速率。

7.如權利要求2或3所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，所述對柵絕緣層進行刻蝕，形成臺階結構，其中，所述柵電極的寬度小于所述臺階結構的寬度，且所述臺階結構的邊緣未被所述柵電極覆蓋，包括：

在形成柵電極之后，利用所述第一刻蝕工藝對所述柵絕緣層進行刻蝕，形成臺階結構。

8.如權利要求2或3所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，

所述第一刻蝕工藝為干法刻蝕工藝，所述第二刻蝕工藝為濕法刻蝕工藝。

9.如權利要求1所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，所述柵絕緣層采用氮化硅或者氧化硅。

10.如權利要求1所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，

所述臺階結構未被所述柵電極覆蓋區域的寬度與預期得到的輕摻雜漏極區的寬度相等。

11.如權利要求1所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，所述柵極絕緣層的臺階結構以外的區域的厚度小于800埃。

12.如權利要求2或3所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，在所述利用所述柵電極和具有所述臺階結構的所述柵絕緣層作為掩膜，采用摻雜工藝對所述多晶硅層進行摻雜，形成輕摻雜漏極區和重摻雜漏極區之前，還包括：

去除剩余的光刻膠。

13.如權利要求1所述的輕摻雜漏極區的制作方法，其特征在于，在所述利用所述柵電極和具有所述臺階結構的所述柵絕緣層作為掩膜，采用摻雜工藝對所述多晶硅層進行摻雜，形成輕摻雜漏極區和重摻雜漏極區之前，所述多晶硅層為未進行摻雜的多晶硅層。

14.一種薄膜晶體管，包括采用如權利要求1-13任一項所述的制作方法制得的輕摻雜漏極區，其特征在于，包括：

基板，以及在所述基板上依次形成的多晶硅層、具有臺階結構的柵絕緣層、柵電極；

其中，所述柵電極的寬度小于所述臺階結構的寬度，且所述臺階結構的邊緣未被所述柵電極覆蓋；

所述輕摻雜漏極區的寬度與所述臺階結構未被所述柵電極覆蓋區域的寬度相等。

15.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括如權利要求14所述的薄膜晶體管。