[發明專利]有機發光二極管陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410851459.2
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN104538351B
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 辛龍寶;廖金龍;王美麗
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

1.一種有機發光二極管陣列基板的制造方法，所述有機發光二極管陣列基板包括薄膜晶體管和有機發光二極管，所述方法包括：

通過成膜工藝形成氧化物半導體層，對所述氧化物半導體層進行一次構圖工藝形成所述薄膜晶體管的有源層與所述有機發光二極管的第一電極；

在所述有源層和所述有機發光二極管的第一電極上依次形成第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層為親液層，所述第二絕緣層為疏液層，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層形成層疊結構，所述第二絕緣層層疊在所述第一絕緣層上方；

對所述層疊結構進行構圖工藝形成暴露出第一電極的容納腔；以及

將含有有機發光材料的溶液注入容納腔中后進行干燥處理以形成有機發光材料層，

其中，所述第一絕緣層是刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述有源層。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中在形成所述容納腔之后、將含有有機發光材料的溶液注入容納腔中后進行干燥處理以形成有機發光材料層之前還包括：

通過容納腔對與有源層同層形成的第一電極進行過曝光處理以提高其導電性。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其中所述過曝光處理采用的光線波長在200nm至400nm之間，處理時間在0.5分鐘至2分鐘之間。

4.根據權利要求2所述的制造方法，其中經過曝光處理后的第一電極具有親液性。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其中所述含有有機發光材料的溶液與所述刻蝕阻擋層表面的接觸角小于0度。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其中所述刻蝕阻擋層的材料為氧化硅或氧化鋁。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其中所述第二絕緣層為像素界定層。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其中所述含有有機發光材料的溶液與所述像素界定層表面的接觸角大于30度。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其中所述像素界定層的材料為有機氟材料。

10.根據權利要求1所述的制造方法，其中所述第二絕緣層的厚度小于第一絕緣層的厚度的1/4。

11.根據權利要求1所述的制造方法，其中形成所述刻蝕阻擋層之后、形成第二絕緣層之前，所述方法還包括：

在所述刻蝕阻擋層上形成源、漏極，所述源、漏極分別通過位于所述刻蝕阻擋層中的第一過孔和第二過孔與所述有源層電連接，所述漏極通過位于所述刻蝕阻擋層中的第三過孔與所述有機發光二極管的第一電極電連接。

12.根據權利要求11所述的制造方法，其中在通過成膜工藝形成氧化物半導體層，對所述氧化物半導體層進行一次構圖工藝形成所述薄膜晶體管的有源層與所述有機發光二極管的第一電極之前，還包括：

在基底上形成薄膜晶體管的柵極；

在柵極上及未被柵極覆蓋的基底上形成柵極絕緣層，所述有源層和第一電極形成在柵極絕緣層上。

13.根據權利要求11所述的制造方法，其中在通過成膜工藝形成氧化物半導體層，對所述氧化物半導體層進行一次構圖工藝形成所述薄膜晶體管的有源層與所述有機發光二極管的第一電極之后，形成刻蝕阻擋層之前，還包括：

在所述薄膜晶體管的有源層、所述有機發光二極管的第一電極和未被所述薄膜晶體管的有源層及所述有機發光二極管的第一電極覆蓋的基底上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成柵極；所述源、漏極分別通過位于所述刻蝕阻擋層和所述柵極絕緣層中的第一過孔和第二過孔與所述有源層電連接，所述漏極通過位于所述刻蝕阻擋層和所述柵極絕緣層中的第三過孔與所述有機發光二極管的第一電極電連接，

其中，在對所述層疊結構進行構圖工藝形成暴露出第一電極的容納腔的步驟中，對所述柵極絕緣層與所述層疊結構一起進行構圖工藝以形成暴露出第一電極的容納腔。