[發(fā)明專利]一種帶有過流保護功能的MOSFET驅(qū)動電路及其應(yīng)用方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410850809.3 | 申請日： | 2014-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN105811942B | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王江波;郭希錚;袁捷;游小杰;李艷;林飛;李虹 | 申請（專利權(quán)）人： | 國家電網(wǎng)公司;國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院;北京交通大學(xué) |
| 主分類號： | H03K17/567 | 分類號： | H03K17/567;H03K17/08 |
| 代理公司： | 北京安博達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐國文 |
| 地址： | 100031 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 帶有 保護 功能 mosfet 驅(qū)動 電路 及其 應(yīng)用 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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