[發明專利]GaAs基發光二極管芯片上GaP粗糙表面的制備方法有效
| 申請號： | 201410850697.1 | 申請日： | 2014-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN104600168A | 公開（公告）日： | 2015-05-06 |
| 發明（設計）人： | 李曉明;陳康;申加兵;蓋克彬;徐現剛 | 申請（專利權）人： | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;C23F1/30 |
| 代理公司： | 濟南日新專利代理事務所 37224 | 代理人： | 王書剛 |
| 地址： | 261061 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gaas 發光二極管 芯片 gap 粗糙 表面 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaAs基發光二極管芯片上GaP粗糙表面的制備方法，其特征是，包括步驟如下：
(1)在GaAs基外延片的GaP窗口層表面蒸鍍一層Au膜作為p型電極，在GaP窗口層上保留電極圖形；
首先在GaAs基外延片的上表面蒸鍍一層Au膜作為p型電極；再在所述Au膜上涂上正性光刻膠，然后進行光刻，在GaP窗口層上保留正性光刻膠的電極圖形；
(2)在步驟(1)保留的電極圖形保護下制備p型金屬電極和粗糙的GaP出光面；
首先配置對Au和GaP均能造成腐蝕作用的腐蝕液，將步驟(1)制備的GaAs基外延片放入所述腐蝕液進行腐蝕，腐蝕掉未被正性光刻膠保護的Au膜并對GaP窗口層粗糙化處理，腐蝕完成后再去除正性光刻膠，得到p型金屬電極和粗糙的GaP出光面。
2.根據權利要求1所述GaAs基發光二極管芯片上GaP粗糙表面的制備方法，其特征是，所述所述腐蝕液按質量濃度69.8％的硝酸、質量濃度36.5％的鹽酸、質量濃度99.5％的醋酸和純水按照體積比1:3:1:1或1:3:2:1的比例配置。
3.根據權利要求1所述GaAs基發光二極管芯片上GaP粗糙表面的制備方法，其特征是，所述腐蝕液在溫度40-50℃、濕度30％-65％下腐蝕時間為1-3分鐘，腐蝕液需在配置后1小時內進行腐蝕。
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