[發明專利]藍寶石襯底及制備方法、制造發光二極管的方法在審
| 申請號： | 201410850307.0 | 申請日： | 2014-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN104465909A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 焦建軍;黃小輝;周德保;康建;梁旭東 | 申請（專利權）人： | 圓融光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 楊貝貝;黃健 |
| 地址： | 243000 安徽省馬鞍山*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 藍寶石 襯底 制備 方法 制造 發光二極管 | ||
1.一種藍寶石襯底，其特征在于，包括：至少一切割道與襯底；
所述至少一切割道設置在所述襯底上、且所述至少一切割道的晶面指向不同于所述襯底的晶面指向，以利用所述切割道將所述襯底分割成具有規則形狀的圖形；
所述襯底的晶面指向為C晶面指向。
2.根據權利要求1所述的藍寶石襯底，其特征在于，所述切割道的晶面指向為a晶面指向；
或，R晶面指向；
或，M晶面指向。
3.根據權利要求1所述的藍寶石襯底，其特征在于，所述具有規則形狀的圖形為方形或圓形。
4.根據權利要求1-3任一所述的藍寶石襯底，其特征在于，所述切割道的寬度為5-30um。
5.一種藍寶石襯底制備方法，其特征在于，包括：
利用研磨機將襯底研磨成具有C晶面指向的襯底；
利用所述研磨機在所述具有C晶面指向的襯底上研磨出至少一切割道，所述至少一切割道用于將所述具有C晶面指向的襯底分割成具有規則形狀的圖形，其中，所述至少一切割道的晶面指向不同于所述C晶面指向；
形成具有所述至少一切割道的所述具有C晶面指向的藍寶石襯底。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述切割道的晶面指向為a晶面指向；
或，R晶面指向；
或，M晶面指向。
7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述具有規則形狀的圖形為方形或圓形。
8.根據權利要求5-7任一所述的方法，其特征在于，所述切割道的寬度為5-30um。
9.一種采用如權利要求1-4任一項所述的藍寶石襯底制造發光二極管的方法，其特征在于，方法包括：
將藍寶石襯底研磨成具有C晶面指向的襯底；
在所述具有C晶面指向的襯底上研磨出至少一切割道，所述至少一切割道用于將所述具有C晶面指向的襯底分割成具有規則形狀的圖形，其中，所述至少一切割道的晶面指向不同于所述C晶面指向；
在所述具有切割道的C晶面指向的襯底上生長氮化鎵GaN外延片；
將所述GaN外延片加工處理，形成具有正負電極的芯片；
利用所述襯底上的切割道對所具有正負電極的芯片進行劈裂，將所述具有正負電極的芯片分割成具有所述規則形狀的圖形的多個芯粒；
對所述芯粒進行擴膜，得到所述發光二極管。
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