[發(fā)明專利]MOSFET被探測區(qū)探針數(shù)量計算方法及探針位置設(shè)計方法和探針卡生成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410850258.0
• 申請日: 2014-12-31
• 公開（公告）號: CN104459512A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李晶晶;謝晉春;辛吉升
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/067;G01R1/073
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種MOSFET被探測區(qū)探針數(shù)量計算方法，其特征是，包括以下步驟：

1)根據(jù)現(xiàn)有MOSFET產(chǎn)品被探測區(qū)的尺寸特點(diǎn)創(chuàng)建數(shù)據(jù)庫，所述被探測區(qū)是源區(qū)和柵區(qū)；

2)設(shè)置探針與探針之間距離的最小值大于等于80um,探針與被探測區(qū)邊緣的距離大于等于40um，當(dāng)探針規(guī)格I_unit＝500ma時，探針針徑為d＝55±5um，當(dāng)探針規(guī)格I_unit＝1A時，探針針徑為d＝100±5um；

3)根據(jù)待測產(chǎn)品的測試電流，測試電壓，確定柵區(qū)探針的數(shù)量N_gate和源區(qū)探針的數(shù)量N_source；

N_gate值根據(jù)柵區(qū)的尺寸、探針之間距離以及探針與被探測區(qū)邊緣的距離確定，N_gate小于等于2；

N_source＝A+B+C；

A是源區(qū)施加電流和電壓的探針數(shù)量，I_max/I_unit＝A，I_max是被測產(chǎn)品的最大測試電流，I_unit是探針材料的電流規(guī)格；

B是余量探針數(shù)量,當(dāng)I_unit的規(guī)格為500ma時，余量探針數(shù)為2；當(dāng)I_unit的規(guī)格為1A時，余量探針數(shù)為1；

C是感應(yīng)電流和電壓的探針數(shù)量；

如果源區(qū)施加電流和電壓的探針數(shù)量A小于等于2，感應(yīng)電流和電壓的探針數(shù)量C為1；

如果源區(qū)施加電流和電壓的探針數(shù)量A大于2小于等于8，感應(yīng)電流和電壓的探針數(shù)量C為2；

如果源區(qū)施加電流和電壓的探針數(shù)量A大于8小于等于20，感應(yīng)電流和電壓的探針數(shù)量C為4。

2.一種MOSFET被探測區(qū)探針位置設(shè)計方法，包括權(quán)利要求1所述方法的各步驟，其特征是，還包括以下步驟：

以各步驟下所有坐標(biāo)均為同一坐標(biāo)系下建立；

4)如果源區(qū)和柵區(qū)為方形，獲取源區(qū)和柵區(qū)對角四點(diǎn)的坐標(biāo)以及N_gate和N_source值，將N_source值分解因式得到X軸向探針數(shù)量X_source值和Y軸向探針數(shù)量Y_source值；

柵區(qū)的坐標(biāo)獲取方法及柵區(qū)探針位置確定采用以下方式：

條件1)柵區(qū)兩對角點(diǎn)之間的水平方向的距離小于水平方向所有探針的內(nèi)徑和以及針與針的間距和兩個邊界值的總和，A點(diǎn)、B點(diǎn)為柵區(qū)兩對角點(diǎn)；

條件2)柵區(qū)兩對角點(diǎn)之間的垂直方向的距離小于垂直平方向所有針的內(nèi)徑和以及針與針的間距和左右兩個邊界值的總和；

條件3)柵區(qū)兩對角點(diǎn)之間的對角線方向的距離小于對角線方向所有針的內(nèi)徑和以及針與針的間距和兩個邊界值的總和；

如果上述條件1)～3)同時滿足，則N_gate值需為1，柵區(qū)的探針位置即為柵區(qū)中心點(diǎn)；

如果條件1)不滿足，則按照平均分配原則，將柵區(qū)垂直邊的中點(diǎn)處沿水平方向?qū)艆^(qū)三等分，第一等分點(diǎn)為第一點(diǎn)坐標(biāo)，第二等分點(diǎn)為第二坐標(biāo)。

如果條件2)不滿足，則按照平均分配原則，將柵區(qū)水平邊的中點(diǎn)處沿垂直方向?qū)艆^(qū)三等分，第一等分點(diǎn)為第一探針的坐標(biāo)，第二等分點(diǎn)為第二探針的坐標(biāo)；

如果條件3)不滿足，則按照平均分配原則，將柵區(qū)沿對角線方向?qū)艆^(qū)三等分，第一等分點(diǎn)為第一探針的坐標(biāo)，第二等分點(diǎn)為第二探針的坐標(biāo)；

源區(qū)的坐標(biāo)獲取方法及源區(qū)探針位置確定采用以下方式：

條件4)源區(qū)兩對角點(diǎn)之間垂直方向的距離大于Y_source根探針內(nèi)徑和以及針與針的間距和左右兩個邊界值的總和；

條件5)源區(qū)兩對角點(diǎn)之間水平方向的距離大于X_source根探針內(nèi)徑和以及針與針的間距和左右兩個邊界值的總和；

如果滿足條件4)和5)條件，則將源區(qū)水平方向做X_source+1等分，垂直方向做Y_source+1等分，垂直方向和水平方向的等分線相交的點(diǎn)即為源區(qū)探針?biāo)谖恢茫?/p>

如果同時不滿足條件4)和5)，則X_source＝X_source-1，Y_source＝Y(jié)_source-1,將運(yùn)算后的X_source和Y_source的值后返回條件1)2)重新判定，直至滿足條件，得到源區(qū)的探針位置坐標(biāo)；

如果不滿足條件4)，滿足條件5)，則Y_source＝Y(jié)_source-1，X_source不變，將運(yùn)算后的X_source和Y_source的值后返回條件1)2)重新判定，直至滿足條件，得到源區(qū)的探針位置坐標(biāo)；

如果滿足條件4)，不滿足條件5)，則X_source＝X_source-1，Y_source不變，將運(yùn)算后的X_source和Y_source的值后返回條件4)5)重新判定，直至滿足條件，得到源區(qū)的探針位置坐標(biāo)；

5)如果源區(qū)和柵區(qū)圓形方形；

柵區(qū)為圓形，輸入柵區(qū)中心點(diǎn)的坐標(biāo)，以及柵區(qū)半徑，結(jié)合N_gate，首先判定

條件6)圓形區(qū)域直徑是否小于最小的尺寸要求，即柵區(qū)內(nèi)徑尺寸僅夠一根針的情況，如果滿足，則報出錯信息，無法支持探針布局設(shè)計；

如果條件6)不滿足，則判定條件7)柵區(qū)圓形區(qū)域直徑是否小于N_gate根探針內(nèi)徑和以及針與針的間距和左右兩個邊界值的總和；

如果條件7)滿足，則報出錯信息，N_gate值為1，此時柵區(qū)的探針位置即為柵區(qū)圓心位置；如果條件2)

如果條件7)不滿足，沿柵區(qū)圓直徑的垂直方向或者水平方向?qū)?nèi)徑做N_gate+1等分，第一等分點(diǎn)為第一根探針的坐標(biāo)位置，第二等分點(diǎn)為第二根探針的坐標(biāo)位置；

源區(qū)形狀為圓形，輸入源區(qū)中心點(diǎn)的坐標(biāo)，以及源區(qū)半徑，結(jié)N_SOURCE值首先判定

條件條件8)源區(qū)圓形區(qū)域直徑是否小于最小的尺寸要求，即源區(qū)內(nèi)徑尺寸僅夠一根針的情況，如果滿足，則報出錯信息，無法支持探針布局設(shè)計；

如果條件8)不滿足，則判定條件9)源區(qū)圓形區(qū)域直徑是否小于N_SOURCE根探針內(nèi)徑和以及針與針的間距和左右兩個邊界值的總和；

如果條件8)滿足，則報出錯信息，調(diào)針N_SOURCE值調(diào)整為N_SOURCE-1，重新判定條件8)，如果條件8)不滿足，則說明源區(qū)可以支持N_SOURCE根針的布局方案，沿源區(qū)圓直徑的垂直方向或者水平方向?qū)?nèi)直徑做N_SOURCE+1等分，第一等分點(diǎn)為第一根探針的坐標(biāo)位置，第二等分點(diǎn)為第二根探針的坐標(biāo)位置，依此類推，直至完成N_SOURCE根探針的布局。

3.一種MOSFET被探測區(qū)探針卡生成方法，包括權(quán)利要求2的所有步驟，其特征是，還包括以下步驟：

6)利用VB宏語言的圖表功能生成探針坐標(biāo)版圖。