[發明專利]陣列基板、顯示面板及陣列基板的制備方法

有效

• 申請號: 201410849415.6
• 申請日: 2014-12-30
• 公開（公告）號: CN104600080B
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發明（設計）人: 王聰;杜鵬;陳黎暄
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/133
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本發明提供一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制備方法。陣列基板包括呈矩陣分布的多個低溫多晶硅薄膜晶體管，低溫多晶硅薄膜晶體管包括：基板；設置在基板同一表面的低溫多晶硅層、源極、漏極以及第一導電層，低溫多晶硅層設置于基板的表面的中部，源極及漏極設置于低溫多晶硅層的兩側，且源極的一端電連接低溫多晶硅層的一端，漏極的一端電連接低溫多晶硅層的另一端，漏極的另一端電連接第一導電層；絕緣層，絕緣層設置于低溫多晶硅層、源極、漏極以及第一導電層上；柵極，柵極設置于絕緣層上且對應低溫多晶硅層設置；鈍化層，層疊設置于柵極上；以及第二導電層，第二導電層設置于鈍化層上且對應第一導電層設置。

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制備方法。

背景技術

顯示設備，比如液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)是一種常用的電子設備，由于其具有功耗低、體積小、重量輕等特點，因此備受用戶的青睞。隨著平面顯示技術的發展，具有高分辨率、低能耗的液晶顯示器的需求被提出。非晶硅的電子遷移率較低，而低溫多晶硅(Low Temperature Ploy-silicon)可以在低溫下制作，且擁有比非晶硅更高的電子遷移率。其次，低溫多晶硅制作的CMOS器件可應用于使液晶顯示器具有更高的分辨率和低能耗。因此，低溫多晶硅得到了廣泛地應用和研究。目前，包括低溫多晶硅薄膜晶體管的陣列基板由于低溫多晶硅中的光罩次數較多，一般而言，所述低溫多晶硅薄膜晶體陣列基板的光罩次數為十次，從而造成低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制備較為困難，且不利于產能的提高。

發明內容

本發明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括呈矩陣分布的多個低溫多晶硅薄膜晶體管，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括：

基板；

設置在所述基板同一表面的低溫多晶硅層、源極、漏極以及第一導電層，所述低溫多晶硅層設置于所述基板的表面的中部，所述源極及所述漏極設置于所述低溫多晶硅層的兩側，且所述源極的一端電連接所述低溫多晶硅層的一端，所述漏極的一端電連接所述低溫多晶硅層的另一端，所述漏極的另一端電連接所述第一導電層；

絕緣層，所述絕緣層設置于所述低溫多晶硅層、所述源極、所述漏極以及所述第一導電層上；

柵極，所述柵極設置于所述絕緣層上且對應所述低溫多晶硅層設置；

鈍化層，所述鈍化層層疊設置于所述柵極上；以及

第二導電層，所述第二導電層設置于所述鈍化層上且對應所述第一導電層設置，其中，所述第一導電層為像素電極，所述第二導電層為公共電極。

其中，所述陣列基板還包括遮光層，所述遮光層設置于所述基板的表面，所述低溫多晶硅層、所述源極、所述漏極及所述第一導電層通過所述遮光層設置于所述基板的表面，且所述遮光層對應所述低溫多晶硅層設置。

其中，所述陣列基板還包括緩沖層，所述緩沖層層疊設置于所述遮光層上，所述低溫多晶硅層、所述源極、所述漏極及所述第一導電層通過所述緩沖層及所述遮光層設置于所述基板的表面上。

其中，所述陣列基板還包括第一歐姆接觸層，所述第一歐姆接觸層連接所述源極及所述低溫多晶硅層，所述第一歐姆接觸層用于降低所述源極與所述低溫多晶硅層之間的接觸電阻。

其中，所述陣列基板還包括第二歐姆接觸層，所述第二歐姆接觸層連接所述漏極與所述低溫多晶硅層，所述第二歐姆接觸層用于降低所述漏極與所述低溫多晶硅層之間的接觸電阻。

另一方面本發明提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括上述各個實施方式中任意一種實施方式的陣列基板。

另一方面，本發明還提供了陣列基板的制備方法，所述陣列基板的制備方法包括：

提供一基板；