[發明專利]一種三維圓片級扇出PoP封裝結構及其制造方法在審
| 申請號： | 201410848910.5 | 申請日： | 2014-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN104659021A | 公開（公告）日： | 2015-05-27 |
| 發明（設計）人： | 夏國峰;于大全 | 申請（專利權）人： | 華天科技（西安）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538;H01L23/31;H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 710018 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三維 圓片級扇出 pop 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種三維圓片級扇出PoP封裝結構，其特征在于，通過至少一個扇出PoP封裝單元堆疊形成；一個扇出PoP封裝單元由兩個相同結構的封裝體構成；
所述一個封裝體包括有第一金屬凸點結構(2)、IC芯片(3)、凸點(4)、第一塑封材料(5)、第二金屬凸點結構(6)、第一再布線金屬走線層(7)、第一金屬層(8)、第一介電材料層(9)、第二再布線金屬走線層(10)、第二介電材料層(11)、第二金屬層(12)；所述IC芯片(3)帶有凸點(4)，凸點(4)連接于第一金屬凸點結構(2)上，與凸點(4)未連接的第一金屬凸點結構(2)連接有第二金屬凸點結構(6)，第一塑封材料(5)包圍了第一金屬凸點結構(2)、IC芯片(3)、凸點(4)和第二金屬凸點結構(6)，IC芯片(3)和第二金屬凸點結構(6)與第一再布線金屬走線層(7)連接，第一再布線金屬走線層(7)上制作有第一金屬層(8)，第一介電材料層(9)包圍第一再布線金屬走線層(7)，并涂覆在IC芯片(3)、第二金屬凸點結構(6)和第一塑封材料(5)同一側面；在第一金屬凸點結構(2)和第一塑封材料(5)另一個側面涂覆有第二介電材料層(11)，第二介電材料層(11)包圍第二再布線金屬走線層(10)，第二再布線金屬走線層(10)與第一金屬凸點結構(2)相連，第二再布線金屬走線層(10)上制作有第一金屬層(12)；
兩個相對放置的封裝體的第二金屬層(12)連接第一焊球(13)，并在一個封裝體的第一金屬層(8)上連接第二焊球(14)，形成一個扇出PoP封裝單元；
所述扇出PoP封裝單元的第二焊球(14)再連接有一個相對放置的扇出PoP封裝單元的第一金屬層(8)，所述未植球部分的第一金屬層(8)、第一焊球(13)及其連接的一對第二金屬層(12)、第二焊球(14)及其連接的一對第一金屬層(8)包圍有第二塑封材料(15)，形成一個三維圓片級扇出PoP封裝結構。
2.根據權利要求1所述一種三維圓片級扇出PoP封裝結構，其特征在于，第一金屬凸點結構(2)和第二金屬凸點結構(6)是但不局限于銅、銅合金、鐵、鐵合金、鎳、鎳合金、鎢金屬材料或者釬焊料材料組成。
3.根據權利要求1所述一種三維圓片級扇出PoP封裝結構，其特征在于，第一再布線金屬走線層(7)和第二再布線金屬走線層(10)是但不局限于銅、銅合金、鐵、鐵合金、鎳、鎳合金或者鎢金屬材料。
4.根據權利要求1所述一種三維圓片級扇出PoP封裝結構，其特征在于，第一介電材料層(9)和第二介電材料層(11)是但不局限于熱固性塑封材料、塞孔樹脂、油墨或者阻焊綠油絕緣材料。
5.根據權利要求1所述一種三維圓片級扇出PoP封裝結構，其特征在于，IC芯片(3)的背面、第一塑封材料(5)的上表面與第二金屬凸點結構(6)的上表面在同一平面上。
6.根據權利要求1所述一種三維圓片級扇出PoP封裝結構，其特征在于，IC芯片(3)的凸點(4)是但不局限于銅柱凸點。
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