[發明專利]能控制TSV深孔鍍銅結晶及生長方式的添加劑B及其用途在審
| 申請號： | 201410848603.7 | 申請日： | 2014-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN104532309A | 公開（公告）日： | 2015-04-22 |
| 發明（設計）人： | 王溯;于仙仙 | 申請（專利權）人： | 上海新陽半導體材料股份有限公司 |
| 主分類號： | C25D3/38 | 分類號： | C25D3/38 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 賈慧琴 |
| 地址： | 201616 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 控制 tsv 鍍銅 結晶 生長 方式 添加劑 及其 用途 | ||
1.一種能控制TSV深孔鍍銅結晶及生長方式的添加劑B，其特征在于，該添加劑B包含按質量百分比計的以下原料：1%-10%的分子量在200-20,000之間的聚乙二醇和聚乙烯醇其中之一或其不同分子量的混合物；0.01%-10%的EO-PO-EO-季胺化合物；0.1-5%的巰基咪唑類化合物；0.1-10%的聚乙烯亞胺及其衍生物；余量為水。
2.如權利要求1所述的添加劑B，其特征在于，所述的EO-PO-EO-季胺化合物的通式為：
OH(CH2CH2O)m-(CH2CH3CHO)n-(CH2CH2O)p-(RCH2CH3CH3N+CH2)pCl-
其中，m為1-20，n為4-20，p為1-20?；R為飽和的或不飽和的不同碳鏈的季銨鹽。
3.如權利要求2所述的添加劑B，其特征在于，所述的不同碳鏈的季銨鹽的碳鏈選擇直鏈烴基或帶支鏈的烴基。
4.如權利要求1所述的添加劑B，其特征在于，所述的水為超純水。
5.如權利要求1所述的添加劑B，其特征在于，所述的巰基咪唑類化合物選擇巰基苯并咪唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基咪唑、巰基咪唑丙磺酸鈉、疏基咪唑丙磺酸、水溶性2-巰基苯并咪唑中的任意一種或幾種。
6.一種根據權利要求1所述的添加劑B的用途，其特征在于，該添加劑B作為電鍍液添加劑，用于TSV深孔鍍銅工藝，能控制TSV深孔鍍銅結晶及生長方式。
7.如權利要求6所述的用途，其特征在于，所述的TSV深孔鍍銅工藝條件為：電流密度0.01A-10A/dm2，適應溫度20-30℃。
8.如權利要求7所述的用途，其特征在于，所述的TSV深孔鍍銅的填充方式是通過分步提高電流密度，快速實現TSV深孔的完全填充，降低面銅厚度。
9.如權利要求6所述的用途，其特征在于，所述的電鍍液為甲基磺酸銅體系電鍍液。
10.一種包含權利要求1所述的添加劑B的電鍍液組合物，其特征在于，該電鍍液為甲基磺酸銅體系電鍍液，該電鍍液包含：30-130g/L的銅離子和5-100g/L的甲基磺酸，以及30-80mg/L的氯離子；該電鍍液中含有?0.5-20ml/L的加速劑A、1-30ml/L的抑制劑B。
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