[發明專利]一種IGBT深溝槽光刻工藝在審
| 申請號： | 201410848051.X | 申請日： | 2014-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN104505339A | 公開（公告）日： | 2015-04-08 |
| 發明（設計）人： | 宋里千;黃建偉;羅海輝;陳輝 | 申請（專利權）人： | 株洲南車時代電氣股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/312;H01L21/331;G03F7/00 |
| 代理公司： | 長沙正奇專利事務所有限責任公司43113 | 代理人： | 盧宏 |
| 地址： | 412001*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 igbt 深溝 光刻 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種IGBT深溝槽光刻工藝，依次包括以下步驟：
(1)在襯底表面和深溝槽內涂上有機材料，所述有機材料不溶于顯影液，且能被刻蝕；
(2)除去襯底表面的有機材料，使剩余的有機材料填充在深溝槽內；
(3)在襯底表面和有機材料表面涂上光刻膠；
(4)使光刻膠曝光；
(5)用顯影液除去位于深溝槽上方的光刻膠；
(6)對深溝槽內的有機材料及深溝槽底部的晶圓進行刻蝕；
(7)除去襯底表面的光刻膠，完成IGBT深溝槽的光刻。
2.如權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述有機材料的蝕刻方法與光刻膠的蝕刻方法不同。
3.如權利要求1所述的工藝，其特征在于，所述有機材料為負膠。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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