[發明專利]晶圓級封裝結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201410848007.9
• 申請日: 2014-12-29
• 公開（公告）號: CN104752367A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 余振華;余國寵;李明機;李建勛;吳俊毅
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L21/768;H01L25/065;H01L23/31
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種方法，包括：

將第一管芯的背側表面附接至第一互連結構的第一側；

在所述第一互連結構的第一側上方形成第一通孔，所述第一通孔連接至所述第一互連結構；

在所述第一管芯的有源表面上形成第一電連接件，所述有源表面與所述背側表面相對；

用模制材料包封所述第一管芯和所述第一通孔；

在所述模制材料、所述第一電連接件和所述第一通孔上方形成第二互連結構，所述第一電連接件和所述第一通孔連接至所述第二互連結構的第一側；以及

使用第二電連接件將第二管芯附接至所述第二互連結構的第二側，所述第二互連結構的第二側與所述第二互連結構的第一側相對。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一管芯是邏輯管芯，并且其中，所述第二管芯是寬輸入/輸出(I/O)管芯。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述第一互連結構的第一側上方形成所述第一通孔包括：

將導電引線的第一端接合至所述第一互連結構的第一側；以及

將所述導電引線切割為第一長度以形成所述第一通孔，切割的所述導電引線具有與所述第一端相對的第二端，所述第二端連接至所述第二互連結構的第一側。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述導電引線包括選自基本由銅、鋁、鎳、金、銀、鈀或它們的組合組成的組中的導電材料。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在用所述模制材料包封所述第一管芯和所述第一通孔之前，在所述第一電連接件和所述第一管芯的所述有源表面上方形成離型膜；以及

在用所述模制材料包封所述第一管芯和所述第一通孔之后，去除所述離型膜以暴露所述第一電連接件和所述第一管芯的所述有源表面。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

使用第三電連接件將封裝件附接至所述第二互連結構的第二側。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述封裝件包括一個或多個存儲管芯的堆疊件，所述存儲管芯通過所述第三電連接件和所述第二互連結構連接至所述第二管芯。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述存儲管芯包括低功耗雙倍數據速率存儲模塊。

9.一種方法，包括：

形成第一封裝件，形成所述第一封裝件包括：

將第一管芯附接至第一互連結構；

在所述第一管芯的有源表面上形成第一組電連接件；

形成鄰近所述第一管芯的多個通孔，所述多個通孔中的每個均具有鄰接所述第一互連結構的第一端和在遠離所述第一互連結構的方向上延伸的第二端；

用模制材料包封所述第一管芯和所述多個通孔；

平坦化所述模制材料以暴露所述第一組電連接件的頂面和所述多個通孔的第二端；

在所述模制材料、所述第一組電連接件和所述多個通孔上方形成第二互連結構，所述第二互連結構連接至所述第一組電連接件和所述多個通孔；以及

使用第二組電連接件將第二管芯附接至所述第二互連結構。

10.一種封裝件，包括：

第一封裝組件，包括：

第一管芯，附接至第一互連結構的第一側；

模制材料，圍繞所述第一管芯；

第二互連結構，位于所述模制材料和所述第一管芯上方，所述第二互連結構的第一側通過第一電連接件連接至所述第一管芯；

多個模制通孔(TMV)，延伸穿過所述模制材料，所述多個TMV將所述第一互連結構連接至所述第二互連結構；以及

第二管芯，通過第二電連接件附接至所述第二互連結構的第二側，所述第二互連結構的第二側與所述第二互連結構的第一側相對。