[發明專利]一種反極性AlGaInP紅光LED芯片的制備方法有效
| 申請號： | 201410845314.1 | 申請日： | 2014-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN104518056A | 公開（公告）日： | 2015-04-15 |
| 發明（設計）人： | 蓋克彬;陳康;申加兵;李曉明;徐現剛 | 申請（專利權）人： | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 濟南日新專利代理事務所 37224 | 代理人： | 王書剛 |
| 地址： | 261061 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 極性 algainp 紅光 led 芯片 制備 方法 | ||
1.一種反極性AlGaInP紅光LED芯片的制備方法，其特征是，包括如下步驟：
（1）將GaAs襯底發光二極管的晶片與硅片鍵合在一起，此時的GaAs襯底發光二極管的晶片已經蒸鍍好P型金屬電極，硅片的拋光面蒸鍍有TiAu或PtAu膜，TiAu或PtAu膜上蒸鍍有Sn膜；
（2）將鍵合后的晶片放入襯底腐蝕液中，腐蝕GaAs襯底5-10分鐘，有大量氣泡產生時，取出放入去離子水中，將晶片沿垂直方向轉動180度，然后重新放入襯底腐蝕液繼續腐蝕20-50分鐘，將GaAs襯底完全腐蝕掉；
（3）待GaAs襯底腐蝕完成后，放入去離子水中，刮除晶片邊緣殘留的金屬膜層；GaAs襯底腐蝕完成后，表面會留下一層阻擋層；
（4）沖洗干凈晶片表面的藥品及附著在上面的金屬粉末；然后使用硫酸溶液對晶片表面的阻擋層進行腐蝕，1-3分鐘后取出；
（5）阻擋層腐蝕完成后，在晶片的對版標記處貼上面積比套刻對版標記大的耐高溫膠帶條；
（6）然后進行N型金屬電極的蒸鍍，蒸鍍完成后，用鑷子將耐高溫膠帶條撕去，此時的N型金屬電極的金屬膜相當于掩蔽膜的作用，保護窗口區域以外不被腐蝕，露出待腐蝕的窗口區域，使用窗口腐蝕液腐蝕窗口，腐蝕完成后得到清晰的套刻對版標記圖形。
2.根據權利要求1所述的反極性AlGaInP紅光LED芯片的制備方法，其特征是，所述襯底腐蝕液為氨水與水體積比為1:5的混合液。
3.根據權利要求1所述的反極性AlGaInP紅光LED芯片的制備方法，其特征是，所述硫酸溶液為體積比為1:10的硫酸水溶液。
4.根據權利要求1所述的反極性AlGaInP紅光LED芯片的制備方法，其特征是，所述窗口腐蝕液為檸檬酸與水體積比為1:3的混合液。
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