[發明專利]晶圓級封裝的制造方法

有效

• 申請號: 201410844697.0
• 申請日: 2014-12-30
• 公開（公告）號: CN104599980A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 丁萬春
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 孟阿妮;郭棟梁

技術領域

本發明涉及半導體制造方法，尤其涉及一種晶圓級封裝的制造方法。

背景技術

隨著芯片功能越來越多，對于封裝的要求也越來越高，倒裝、疊層已經成為趨勢。在倒裝、疊層的同時，還要求封裝厚度盡量薄，這樣就一定程度上要求芯片封裝時盡量薄，從而造成加工過程的風險。

發明內容

在下文中給出關于本發明的簡要概述，以便提供關于本發明的某些方面的基本理解。應當理解，這個概述并不是關于本發明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發明的關鍵或重要部分，也不是意圖限定本發明的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細描述的前序。

本發明實施例的目的是針對上述現有技術的缺陷，提供一種在滿足芯片封裝厚度盡量薄的同時降低加工過程風險的晶圓級封裝的制造方法。

為了實現上述目的，本發明采取的技術方案是：

一種晶圓級封裝的制造方法，包括以下步驟：

在第一芯片上形成光刻膠；

在所述光刻膠上形成多個開口部，露出所述第一芯片的功能面；

在多個第一芯片的功能面上形成凸點下金屬層；

去除第一芯片上的光刻膠；

將所述第二芯片的功能凸點與第一芯片上的一部分所述凸點下金屬層連接；

在所述第一芯片和所述第二芯片之間形成填充層；

在所述第一芯片上的另一部分的所述凸點下金屬層上植焊球，所述焊球的頂部高于所述第二芯片的頂部。

相比于現有技術，本發明的有益效果至少包括：

在第一芯片上形成凸點下金屬層，一部分凸點下金屬層上植焊球，再將第一芯片和第二芯片面對面設置，由此組成的芯片結構在后續倒裝工藝中，利用了第一芯片上的焊球與第二芯片形成的高度差，就可以將芯片結構倒裝，而不破壞芯片結構，即倒裝時不會損壞第二芯片，降低了加工過程中的風險。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的晶圓級封裝的制造方法的流程圖；

圖2為本發明實施例提供的第一步在第一芯片上涂光刻膠的結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的第二步涂層曝光和顯影后的結構示意圖；

圖4為本發明實施例提供的第三步形成凸點下金屬層的結構示意圖；

圖5為本發明實施例提供的第四步去除光刻膠后的的結構示意圖；

圖6為本發明實施例提供的第五步倒裝芯片回流后的結構示意圖；

圖7為本發明實施例提供的第六步形成填充層的結構示意圖；

圖8為采用本發明晶圓級芯片制作方法制造的晶圓級芯片結構的一種結構示意圖；

圖9為采用本發明晶圓級芯片制作方法制造的晶圓級芯片結構的另一種結構示意圖。

附圖標記：

1-第一芯片；2-第二芯片，21-功能凸點；3-凸點下金屬層；4-焊球；5-填充層；6-光刻膠；61-開口部。

具體實施方式

為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。在本發明的一個附圖或一種實施方式中描述的元素和特征可以與一個或更多個其它附圖或實施方式中示出的元素和特征相結合。應當注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本發明無關的、本領域普通技術人員已知的部件和處理的表示和描述。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有付出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

在本發明以下各實施例中，實施例的序號和/或先后順序僅僅便于描述，不代表實施例的優劣。對各個實施例的描述都各有側重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實施例的相關描述。

參見圖1，一種晶圓級封裝的制造方法，包括以下步驟：

S101：在第一芯片1上形成光刻膠6(參見圖2)；

S102：在光刻膠2上形成多個開口部61，露出第一芯片1的功能面(參見圖3)；

S103：在多個第一芯片1的功能面上形成凸點下金屬層3(參見圖4)；

S104：去除第一芯片1上的光刻膠6(參見圖5)；